IXFR150N15 时间：2024/9/24 11:26:45 阅读：284

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：HiPerFET?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：12.5毫欧 75A,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：150V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：105A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：4V 8mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：360nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：9100pF 25V
　　功率-最大：400W

封装参数

安装类型：通孔
　　封装/外壳：ISOPLUS247?
　　包装：管件

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IXFR150N15
深圳市创芯联赢科技有限公司
764
ST
2023+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市奥利腾科技有限公司
20000
IXYS
22+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/ISOPLUS247

IXFR150N15
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8000
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2024+/ISOPLUS247

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深圳市科鑫美电子有限公司
28683
IXYS
21+/TO247

IXFR150N15
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22358
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22+/TO247MAX

IXFR150N15
深圳市佳微科技有限公司
9000
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IXFR150N15
深圳市华睿芯科技有限公司
20000
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2023+/PDIP8SO16W

IXFR150N15
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
32365
IXYS
19+/ISOPLUS24

IXFR150N15
深圳市跃创芯科技有限公司
25000
IXYS/艾赛斯
22+/ISOPLUS247

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深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市创芯联盈电子有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/ISOPLUS247

IXFR150N15
中扬电子（深圳）有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市赛恒电子科技有限公司
8600
IXYS/艾赛斯
21+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
12300
IXYS
24+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
IXYS
2020+/MOSFET NCH 150V 105A ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市科鑫美电子有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/ISOPLUS247

IXFR150N15
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
IXYS
2023+/ISOPLUS247

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IXFR150N15参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列HiPerFET™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C105A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs360nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds9100pF @ 25V
功率 - 最大400W
安装类型通孔
封装/外壳ISOPLUS247?
供应商设备封装ISOPLUS247?
包装管件