PESD3USB3B/CX 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的静电放电(ESD)保护器件,专为高速USB 3.0接口设计。该芯片采用先进的硅可控雪崩二极管(Silicon Controlled Avalanche Diode)技术,能够在极端静电放电事件中为敏感的电子元件提供高效保护。其设计适用于数据传输速率高达5Gbps的USB 3.0应用,确保在高速信号完整性不受影响的同时提供可靠的电路保护。
类型:ESD保护二极管阵列
工作电压:3.3V
钳位电压:典型值为8V(在IEC 61000-4-2等级4测试条件下)
数据速率:最高支持5Gbps
通道数:3通道
封装形式:DFN10
工作温度范围:-40°C至+125°C
引脚数:10
IEC 61000-4-2标准等级:4级(接触放电±8kV,空气放电±15kV)
结电容:每通道最大为0.3pF
PESD3USB3B/CX 提供了卓越的ESD保护性能,其钳位电压非常低,能够在静电放电事件中将电压限制在安全范围内,从而保护下游的敏感电路。该器件采用了低电容设计,每通道结电容仅为0.3pF,确保在高速数据传输过程中信号的完整性不会受到干扰。此外,该芯片具有极快的响应时间,能够在纳秒级别内对静电放电进行响应,防止过电压对系统造成损害。
该芯片的封装形式为DFN10,这种小型封装非常适合用于空间受限的便携式电子设备中。PESD3USB3B/CX 还具有极低的漏电流,典型值小于0.1nA,确保在正常工作条件下对系统功耗的影响极小。其符合IEC 61000-4-2标准的最高等级4级要求,适用于工业及消费类电子产品中对抗静电干扰有高要求的应用场景。
该器件的三个通道设计可以同时保护USB 3.0的TX、RX和SBU信号线,使得单个芯片即可完成对整个USB 3.0接口的ESD保护。这种集成化设计不仅提高了保护效率,还简化了PCB布局,降低了整体设计复杂度。
PESD3USB3B/CX 主要用于USB 3.0高速接口的静电放电保护,广泛适用于各种消费类电子产品和工业设备。其典型应用包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机、USB 3.0集线器、外部硬盘驱动器(HDD)和固态硬盘(SSD)、数字相机、媒体播放器等需要高速数据传输和高可靠性保护的设备。此外,该器件也非常适合用于汽车电子系统中的USB接口保护,以应对车辆环境中可能出现的更高静电放电风险。
TI的TPD4E001B04、STMicroelectronics的EML7132、ON Semiconductor的NUP4201BT1G