PESD2ETH100-TR 是一款高性能的以太网保护二极管阵列,专为高速数据线提供瞬态电压抑制 (TVS) 和静电放电 (ESD) 保护。该器件采用超低电容设计,适合用于千兆以太网和其他高速接口电路。其出色的动态电阻和响应时间性能,可有效防止因 ESD、雷击或负载突降等引起的过压事件损坏敏感电子设备。
该器件符合 IEC 61000-4-2 国际标准,并具有高达 ±30kV 的空气放电和 ±30kV 的接触放电能力。同时,它还兼容工业级工作温度范围(-55°C 至 +150°C),确保在恶劣环境下的稳定运行。
类型:ESD 保护二极管
封装:DFN1006-2
工作电压:±5.5V
最大钳位电压:±17V
动态电阻:≤1Ω
电容:0.3pF
反向漏电流:≤1μA
峰值脉冲电流:±12A
响应时间:≤1ps
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1. 超低电容设计,不影响高速信号完整性。
2. 高度可靠的 ESD 保护能力,满足 ±30kV 接触放电要求。
3. 小型化封装 DFN1006-2,节省 PCB 布局空间。
4. 快速响应时间 (<1ps),能够迅速抑制瞬态过压事件。
5. 兼容千兆以太网、USB 3.0 等高速接口应用。
6. 工业级温度范围支持,适应极端环境使用。
7. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
PESD2ETH100-TR 广泛应用于需要高速信号保护的场景中,具体包括:
1. 千兆以太网 PHY 和交换机端口保护。
2. USB 3.0 和其他高速数据接口防护。
3. 工业自动化设备中的通信线路保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
5. 医疗设备和消费类电子产品中的信号链路防护。
6. 电信设备和网络基础设施中的数据线保护。
PESD2CAN100-TR, PESD2IO100-TR, SMAJ5.0A