RF5725TR7 时间：2025/8/16 7:09:40 阅读：3

RF5725TR7 是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的射频（RF）功率晶体管，广泛应用于无线通信系统中的功率放大器模块。这款晶体管采用了先进的GaAs（砷化镓）技术，能够在高频下提供高功率输出和出色的线性性能。RF5725TR7 主要用于蜂窝通信、Wi-Fi基础设施和其它无线应用中，以满足对高效率和高可靠性要求的应用需求。

参数

类型：GaAs FET射频功率晶体管
　　频率范围：2.4 GHz至2.5 GHz
　　输出功率：25 W（典型值）
　　工作电压：+28 V
　　增益：约10 dB（典型值）
　　效率：约40%（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：2:1最大
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

RF5725TR7 是一款专为高频应用设计的射频功率晶体管，采用了先进的GaAs技术，以提供高输出功率、高效率和良好的线性性能。该晶体管的工作频率范围在2.4 GHz至2.5 GHz之间，适合用于Wi-Fi、WiMAX和蜂窝基站等无线通信系统。RF5725TR7 提供25 W的典型输出功率，并在+28 V电源电压下工作，具有约10 dB的典型增益和约40%的效率。这使得它能够在高功率应用中保持较低的功耗和热量积聚。此外，该器件的输入驻波比（VSWR）最大为2:1，确保了良好的信号匹配和稳定性。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　该晶体管还集成了高可靠性和耐用性，适用于长期运行的工业级设备。RF5725TR7 通常采用表面贴装封装（SMT），便于自动化装配和高密度PCB布局，同时也降低了系统设计的复杂度。其结构设计优化了热管理和射频性能，以确保在高功率工作状态下的稳定性和寿命。