时间：2025/6/26 22:20:13
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PESD2ETH-X 是一款基于聚合物增强型半导体器件（PESD）技术的以太网保护芯片。该系列芯片专门设计用于保护高速通信接口免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压威胁的影响。其主要应用包括以太网端口、USB 接口以及其他高速数据传输线路。该器件具有低电容特性，可确保信号完整性并支持高达 10/100/1000 Mbps 的以太网速率。
工作电压：±40V
响应时间：≤1ns
最大箝位电压：18V
峰值脉冲电流：3A
结电容：0.5pF
额定工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PESD2ETH-X 具备以下关键特性：
1. 超低结电容（仅为 0.5pF），非常适合高速数据线保护。
2. 快速响应时间（≤1ns），可以有效抑制高速瞬态电压。
3. 高度可靠的 ESD 保护性能，符合 IEC61000-4-2 标准（接触放电 ±15kV 和空气放电 ±15kV）。
4. 紧凑的封装形式（如 SOT-23 或 DFN），有助于节省 PCB 布局空间。
5. 可承受多次高能量浪涌冲击而不损坏。
6. 支持无铅工艺，符合 RoHS 和 REACH 环保要求。
PESD2ETH-X 主要应用于需要高速数据保护的场景，具体包括：
1. 以太网 PHY 和交换机端口保护。
2. USB 2.0 和 USB 3.0 数据线保护。
3. HDMI、DisplayPort 和其他高速视频接口的保护。
4. 工业自动化设备中的通信接口保护。
5. 消费电子产品的高速接口防护，例如智能手机和平板电脑的数据线保护。
PESD2CAN-X, PESD2USB3-X
