FD2955 时间：2025/12/29 14:33:31 阅读：19

FD2955是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关等多种场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：55A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大7.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

FD2955的主要特性之一是其超低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在高电流应用中表现出色，能够在高频率下稳定运行，同时保持较低的开关损耗。
　　此外，FD2955采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和散热能力，使其能够在高温环境下可靠运行。该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的稳定性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至12V驱动电压，适用于多种驱动电路设计。FD2955还具有较高的短路耐受能力，为系统设计提供了更高的安全性和可靠性。

应用

FD2955常用于各类高功率、高效率的电源系统中，例如同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及工业自动化和控制系统中的功率开关部分。
　　在电动汽车和储能系统中，FD2955也被广泛用于电池充放电管理电路和功率逆变模块。其优异的导通性能和热管理能力，使其成为高密度电源设计中的理想选择。
　　此外，该器件也适用于服务器电源、电信设备电源以及高功率LED照明驱动电路等应用场合。