时间：2025/12/17 15:39:22
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PESD2ETH-D 是一款高性能的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专为以太网接口（10/100Base-T）提供静电放电 (ESD) 和电气过载保护而设计。该器件采用紧凑型封装，具有低电容特性，可确保信号完整性并支持高速数据传输。
其先进的硅雪崩技术使其能够在恶劣的电气环境下可靠运行，同时满足 IEC 61000-4-2 标准中规定的严格 ESD 防护要求。
工作电压：5.8V
峰值脉冲电流：±37.5A（tp=10/1000μs）
最大反向工作电压：6V
击穿电压：7.8V
钳位电压：18V
结电容：2pF（典型值）
响应时间：≤1ps
封装形式：SOT-323
PESD2ETH-D 具有以下关键特性：
1. 双向保护功能，能够有效抑制正负双向的瞬态电压波动。
2. 极低的电容值（仅 2pF），对高速数据传输的影响可以忽略不计。
3. 快速响应时间（≤1ps），确保在瞬态事件发生时迅速将电压钳制到安全水平。
4. 高度可靠的硅雪崩技术，支持多次重复使用而不降低性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
6. 紧凑型 SOT-323 封装，节省 PCB 空间，便于集成到小型化设计中。
PESD2ETH-D 广泛应用于需要保护以太网接口免受 ESD 和其他瞬态电压威胁的场合，具体包括：
1. 工业自动化设备中的以太网端口防护。
2. 消费类电子产品，例如网络摄像头、路由器和交换机等的以太网接口保护。
3. 医疗设备中的通信端口保护，确保数据传输的可靠性与安全性。
4. 汽车电子系统中的车载以太网模块防护。
5. 任何涉及高速数据传输且对信号完整性要求较高的场景。
PESD2CAN-D, PESD2USB-D
