您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PESD2510E18V

PESD2510E18V 发布时间 时间:2025/7/4 7:27:31 查看 阅读:16

PESD2510E18V 是一款高性能的双向静电放电 (ESD) 保护二极管,专为高速信号线和电源线提供瞬态电压抑制保护而设计。该器件采用先进的硅技术制造,具有超低电容特性,非常适合用于高速数据接口和射频应用。其封装小巧,便于在高密度电路板上使用。
  PESD2510E18V 能够有效防止因静电放电、雷击和其他瞬态电压事件引起的损坏,同时保持信号完整性和系统性能不受影响。

参数

工作电压:18V
  最大箝位电压:30V
  峰值脉冲电流:±10A
  结电容:0.3pF
  响应时间:1ns
  静态电流:1μA
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 双向保护结构,适用于对称和非对称信号线路。
  2. 极低的结电容(0.3pF),确保在高频和高速应用中的优异性能。
  3. 快速响应时间(1ns),能够及时抑制瞬态电压尖峰。
  4. 高浪涌承受能力(±10A 峰值脉冲电流),提供可靠保护。
  5. 小型化封装(如DFN1006-2),适合空间受限的设计。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
  7. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。

应用

PESD2510E18V 主要应用于需要高性能ESD保护的场合,包括但不限于:
  1. 高速数据接口保护,例如USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort。
  2. 射频前端保护,例如Wi-Fi模块、蓝牙模块。
  3. 工业通信总线保护,例如RS-485、CAN总线。
  4. 汽车电子系统中的信号线路保护。
  5. 移动设备中的天线保护,例如智能手机和平板电脑。
  6. 光学模块和传感器接口保护。

替代型号

PESD2410T18V, PESD2412T18V, SMAJ18A

PESD2510E18V推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价