时间：2025/7/4 7:27:31
阅读：16
PESD2510E18V 是一款高性能的双向静电放电 (ESD) 保护二极管，专为高速信号线和电源线提供瞬态电压抑制保护而设计。该器件采用先进的硅技术制造，具有超低电容特性，非常适合用于高速数据接口和射频应用。其封装小巧，便于在高密度电路板上使用。
PESD2510E18V 能够有效防止因静电放电、雷击和其他瞬态电压事件引起的损坏，同时保持信号完整性和系统性能不受影响。
工作电压：18V
最大箝位电压：30V
峰值脉冲电流：±10A
结电容：0.3pF
响应时间：1ns
静态电流：1μA
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 双向保护结构，适用于对称和非对称信号线路。
2. 极低的结电容（0.3pF），确保在高频和高速应用中的优异性能。
3. 快速响应时间（1ns），能够及时抑制瞬态电压尖峰。
4. 高浪涌承受能力（±10A 峰值脉冲电流），提供可靠保护。
5. 小型化封装（如DFN1006-2），适合空间受限的设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
7. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
PESD2510E18V 主要应用于需要高性能ESD保护的场合，包括但不限于：
1. 高速数据接口保护，例如USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort。
2. 射频前端保护，例如Wi-Fi模块、蓝牙模块。
3. 工业通信总线保护，例如RS-485、CAN总线。
4. 汽车电子系统中的信号线路保护。
5. 移动设备中的天线保护，例如智能手机和平板电脑。
6. 光学模块和传感器接口保护。
PESD2410T18V, PESD2412T18V, SMAJ18A
