PESD24VL1BL-Q 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的单向静电放电(ESD)保护二极管,专为低压信号线路设计,适用于需要高效保护的高速数据线路。该器件采用小型SOT323封装,适合空间受限的应用场景。
工作电压: 24V
击穿电压: 26.7V
钳位电压: 45V
最大反向漏电流: 100nA
响应时间: <1ns
封装类型: SOT323
PESD24VL1BL-Q 具有优异的ESD保护性能,能够承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准。其低钳位电压特性可以有效降低瞬态电压对后端电路的影响,同时,快速响应时间确保了在高速信号传输中不会引起信号失真。此外,该器件具有低电容(约1pF),适用于高频信号线路保护,且在工作温度范围内保持稳定性能,适用于各种恶劣工作环境。
其单向保护结构确保了在正向ESD事件中能迅速导通并泄放电流,同时在正常工作电压下保持高阻状态,不会干扰电路正常运行。该器件还具备较低的反向漏电流,确保在高温环境下也能稳定工作。
PESD24VL1BL-Q 主要用于工业控制、消费类电子产品、通信设备、汽车电子系统以及高速数据接口等领域的ESD保护。典型应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口、音频/视频信号线、传感器信号线以及其他低电压信号线路的保护。由于其优异的高频性能和小尺寸封装,非常适合在空间受限且对信号完整性要求高的应用中使用。
PESD24VL1BA, PESD24VL1BT, SMAJ24A