PESD1B12是一款低电容、高速瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速信号线和数据接口免受静电放电(ESD)和电气过应力(EOS)的损害而设计。该器件采用小尺寸封装,适用于对空间要求严格的现代电子设备。PESD1B12具有双向保护特性,能够有效抑制正负方向的过电压脉冲。
该产品基于硅雪崩技术制造,具有出色的箝位性能和低动态电阻,确保在发生瞬态事件时快速响应并保护敏感电路。
工作电压:±12V
峰值脉冲电流(8/20μs):3A
最大反向工作电压:12.8V
击穿电压:13.4V
箝位电压(IPP=3A):21.6V
动态电阻:0.4Ω
电容:25pF
响应时间:1ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
PESD1B12的主要特性包括以下几点:
1. 双向保护功能,可抑制正负方向的瞬态电压。
2. 极低的动态电阻(0.4Ω),确保高效的能量吸收能力。
3. 快速响应时间(1ns),能够在瞬态事件发生时迅速启动保护机制。
4. 小型化设计,适合空间受限的应用场景。
5. 工作电压范围宽,支持多种信号类型。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
7. 能够承受高达3A的峰值脉冲电流,适用于大多数工业级和消费级应用。
PESD1B12广泛应用于需要ESD保护的各种电子设备中,具体应用领域包括:
1. USB接口保护。
2. HDMI和其他高速数据接口的防护。
3. 移动设备中的天线端口保护。
4. 工业控制系统的通信线路防护。
5. 汽车电子中的CAN/LIN总线保护。
6. 音频和视频信号线的ESD防护。
其低电容特性使其非常适合高频信号路径的保护,不会对信号完整性产生显著影响。
PESD1C12, PESD1CA12, SMAJ12A