PESD1563U005 是一款基于硅技术的双向 TVS(瞬态电压抑制器)二极管,专为保护敏感的电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他瞬态电压威胁而设计。该器件具有超低电容特性,使其非常适合高速数据线和射频线路的保护应用。其封装小巧,适合高密度电路板布局。
该器件支持 IEC 61000-4-2 标准下±20kV 的接触放电和±30kV 的空气放电防护要求,同时符合 RoHS 和 REACH 环保规范。
工作电压:6V
峰值脉冲电流:±8A
箝位电压:9.7V
响应时间:<1ns
电容:0.5pF
漏电流:1μA(最大值,@VRWM=6V)
封装类型:DFN1006-2
PESD1563U005 具有以下关键特性:
1. 双向保护设计确保正负极性瞬态信号均能被有效抑制。
2. 超低电容(仅 0.5pF),对高速信号的影响微乎其微,适用于高频信号路径。
3. 快速响应时间 (<1ns),能够迅速抑制瞬态电压尖峰,保护后端电路。
4. 高度可靠的 ESD 防护性能,满足甚至超过国际标准 IEC 61000-4-2 的严格要求。
5. 小型化 DFN1006-2 封装节省空间,方便在紧凑型设计中使用。
6. 符合 RoHS 和 REACH 规范,环保且适合长期使用。
PESD1563U005 广泛应用于需要高性能 ESD 保护的领域,包括但不限于:
1. 高速数据接口保护,如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt 等。
2. 射频线路保护,例如 LTE、Wi-Fi、蓝牙等无线通信模块。
3. 汽车电子中的 CAN 总线、LIN 总线以及其他高速通信链路。
4. 工业控制设备中的传感器接口和信号传输线路保护。
5. 消费类电子产品中的触摸屏控制器、摄像头模块等敏感组件防护。
PESD1563B005, PESD1563U006, SMAJ6.0A