时间：2025/8/17 12:15:28
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2N7002 是一款常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低功率开关应用和逻辑电平转换电路。该器件采用小型SOT-23封装，具备良好的开关特性和较低的导通电阻，适合用于数字电路、电源管理和信号控制等领域。该MOSFET具有高耐压能力，能够承受最大20V的漏源电压（VDS），并具有较低的输入电容，适合高频操作。
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±10V
连续漏极电流(ID)：115mA（@25℃）
功耗(PD)：300mW
导通电阻(RDS(on))：5Ω（@VGS=10V）
输入电容(Ciss)：约25pF
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
2N7002 IC 的核心特性在于其作为N沟道增强型MOSFET的高效开关能力。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下较小的电压降和功耗，提高整体效率。此外，2N7002 采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用。其较高的漏源电压耐受能力（20V）使其适用于多种低压直流应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V、5V逻辑电平控制，兼容性强。
在动态特性方面，2N7002 的输入电容较低（约25pF），使得其在高频开关应用中表现出色，响应速度快，开关损耗低。此外，其热稳定性较好，在高负载条件下仍能维持稳定工作。由于其增强型结构，2N7002 在无栅极信号时处于关闭状态，避免了不必要的漏电流，提高了系统的能效和安全性。
2N7002 常用于各种低功率开关电路中，如LED驱动、继电器控制、电机控制和电源管理模块。其小封装特性使其非常适合便携式电子设备和嵌入式系统中的信号切换和负载控制。此外，2N7002 还广泛应用于逻辑电平转换电路，例如将3.3V微控制器输出转换为5V系统中可用的信号。在工业自动化和通信设备中，2N7002 也被用于传感器信号控制、继电器驱动和小型电机控制。
在电源管理方面，该器件可用于低功耗DC-DC转换器中的开关元件，或作为负载开关用于控制电池供电设备的电源分配。由于其良好的高频特性，2N7002 也常用于PWM（脉宽调制）控制电路中，实现精确的电压或电流调节。
2N7000, BSS138, 2N3904（BJT替代，需注意驱动方式不同）
