PESD0402V18P10 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的超低电容、双向静电放电 (ESD) 保护二极管。该器件具有超快响应速度和高浪涌能力,适用于高速数据线和射频接口的保护。其小型化的封装设计非常适合空间受限的应用场景。
PESD0402V18P10 的主要功能是为电子设备提供可靠的 ESD 防护,同时保持信号完整性不受影响。它广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业自动化领域中的各种敏感电路保护。
工作电压:18V
峰值脉冲电流(IPP):10A
箝位电压(VC):27.3V
动态电阻(RDYN):1Ω
电容(CD):0.4pF
响应时间:0.5ps
最大工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 超低电容(0.4pF),适合高速数据线路防护。
2. 双向对称结构,支持正负双向过压保护。
3. 极低动态电阻(1Ω),确保高效能量吸收。
4. 快速响应时间(<0.5ps),能够有效抑制瞬态干扰。
5. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
6. 小型化 0402 封装,节省 PCB 空间。
1. USB 3.1/Thunderbolt 等高速数据接口保护。
2. HDMI、DisplayPort 和其他视频传输接口防护。
3. 无线通信模块(如 Wi-Fi、蓝牙)射频前端防护。
4. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
5. 工业以太网和其他高可靠性网络设备防护。
PESD0402V24P10, PESD0603V18P10