PEMH30,115 时间：2025/9/14 10:23:30 阅读：28

PEMH30,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高功率应用场合，如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术制造，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流(Id)：30A
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：最大9.5mΩ @ Vgs=10V
　　功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　引脚数：3

特性

PEMH30,115 具备多项先进特性，使其在高功率和高效率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 最大值仅为 9.5mΩ，这使得该器件在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，该 MOSFET 采用 Trench 技术，优化了导通性能和开关速度之间的平衡，使其在高频开关应用中表现优异。Trench 结构有助于降低开关损耗，同时保持良好的热稳定性。
　　此外，PEMH30,115 具有较高的电流承载能力和热稳定性，能够承受瞬态过载和高温环境。其最大漏极电流可达 30A，适用于高功率密度的设计。
　　封装方面，TO-220AB 封装提供了良好的散热性能和机械强度，适用于各种工业级和汽车级应用。其标准三引脚配置（G、D、S）便于 PCB 布局和焊接。
　　最后，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，增强了设计的灵活性。

应用

PEMH30,115 适用于多种高功率和高效能电子系统。在电源管理领域，常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效率电源模块的理想选择。
　　在电机控制和驱动电路中，PEMH30,115 可用于 H 桥结构中的上下桥臂开关，提供快速开关响应和低损耗性能。此外，在工业自动化和控制系统中，该器件可用于高功率继电器替代、固态开关以及电源分配系统。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，该 MOSFET 也适用于汽车电子系统，如电动助力转向、车载充电器和车身控制模块。其宽工作温度范围确保在极端环境下的稳定运行。
　　其他应用包括 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、工业电机驱动以及高功率 LED 照明系统。