时间：2025/12/26 12:28:57
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ZXT690BK是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道MOSFET，采用SOT-23封装，适用于低电压、低功耗的开关应用。该器件设计用于在便携式设备和空间受限的应用中提供高效的功率控制。ZXT690BK具有较低的导通电阻（RDS(on)），能够在较小的封装内实现较高的电流切换能力，从而减少功率损耗并提高系统效率。其栅极阈值电压较低，便于与逻辑电平信号直接接口，适合由微控制器或其他数字电路直接驱动。
该MOSFET广泛应用于电池供电设备、电源管理模块、负载开关、LED驱动以及各种模拟和数字开关电路中。由于其小型化的SOT-23封装，ZXT690BK非常适合高密度PCB布局，并支持自动化表面贴装工艺。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于消费类电子产品、工业控制和通信设备等对可靠性和尺寸要求较高的领域。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-1.9A
脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
导通电阻RDS(on)：35mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -2.5V
栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
输入电容（Ciss）：270pF @ VDS = 10V
开启延迟时间（td(on)）：7ns
关断延迟时间（td(off)）：18ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-23
ZXT690BK具备出色的电气性能和热稳定性，特别适用于需要高效能和小尺寸解决方案的设计场景。其低导通电阻确保在导通状态下产生最小的电压降和功率损耗，这对于延长电池寿命至关重要，尤其是在移动设备和物联网终端中。器件在-4.5V和-2.5V的栅极驱动电压下均能保持良好的导通特性，表明其兼容多种常见的逻辑电平，如3.3V或1.8V系统，无需额外的电平转换电路即可由MCU GPIO直接控制。
该MOSFET的输入电容较低，有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频开关应用中的响应速度。同时，较短的开启和关断延迟时间使其能够快速切换负载，适用于PWM调光、电源序列控制等需要精确时序的应用。ZXT690BK的热阻抗表现良好，在SOT-23封装条件下仍能承受一定的功耗，配合适当的PCB布线散热设计可进一步提升其持续工作能力。
此外，该器件具有良好的抗静电能力（ESD保护）和稳健的制造工艺，保证了在自动化装配过程中的高可靠性。其绝对最大额定值覆盖了常见瞬态工况，增强了系统的鲁棒性。总体而言，ZXT690BK是一款集高性能、小体积与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，为现代电子系统提供了理想的功率开关选择。
用于便携式电子设备中的电源开关控制
作为电池反接保护电路中的理想二极管替代方案
应用于LED背光或指示灯的开关驱动电路
在微控制器I/O扩展中用作高边或低边开关
用于DC-DC转换器中的同步整流或输出控制
作为热插拔或上电顺序控制中的负载开关元件
在传感器模块或无线收发模块中实现电源门控以降低待机功耗
ZXMP690DKTA, FDN340P, AO3415, BSS84
