PEMH16,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于中高功率电子系统中,如电源转换、电机控制和负载开关应用。该器件采用 TSSOP 封装(16引脚),具有良好的散热性能和高可靠性。PEMH16,115 的设计使其在导通电阻、开关速度和热稳定性方面表现优异,适用于多种工业和汽车电子系统。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds:20V
最大栅源电压 Vgs:±12V
最大连续漏极电流 Id:4.8A
导通电阻 Rds(on):85 mΩ @ Vgs=10V
导通电阻 Rds(on):100 mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散:1.4W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TSSOP-16
PEMH16,115 具备一系列优异的电气和热性能,适合高效率和高可靠性的应用场景。
首先,其低导通电阻(Rds(on))在 10V 栅极电压下仅为 85 mΩ,在 4.5V 下为 100 mΩ,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。这种特性尤其适用于电池供电设备和低电压电源管理系统。
其次,该 MOSFET 支持高达 4.8A 的连续漏极电流,适用于中等功率负载的控制,如 DC-DC 转换器、负载开关、LED 驱动器和小型电机控制电路。
该器件的 TSSOP-16 封装提供了良好的热管理能力,能够有效散热,确保在高电流工作条件下仍保持稳定运行。此外,PEMH16,115 的栅极驱动电压兼容 4.5V 至 10V 范围,适用于多种控制电路,包括由微控制器直接驱动的应用场景。
该器件的 ESD 保护性能良好,具备一定的抗静电能力,适用于工业和车载环境。
最后,PEMH16,115 符合 RoHS 和 REACH 环保标准,适用于需要无铅工艺的电子产品制造。
PEMH16,115 的典型应用包括但不限于以下领域:
在电源管理方面,该 MOSFET 常用于同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关和电池保护电路。由于其低 Rds(on) 和良好的热性能,适合用于高效率的小型电源模块。
在工业控制领域,PEMH16,115 可用于驱动继电器、电磁阀、小型电机和 LED 照明系统。其高速开关能力和稳定的导通性能使其在自动化控制和传感器接口电路中表现出色。
在汽车电子中,该器件适用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)、车载信息娱乐系统电源管理模块等场景。其宽工作温度范围和良好的可靠性使其适应严苛的汽车环境。
此外,PEMH16,115 也广泛应用于消费类电子产品,如便携式充电器、智能家电、无线充电设备等,为设备提供高效的功率控制方案。
Si2302DS, BSS138K, PMV48XP, FDS6675, TPS27081A