PEMH10,115 时间：2025/9/14 23:02:56 阅读：3

PEMH10,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET采用了TSON10封装技术，具备较小的体积和较高的热效率，适用于电池供电设备、电源开关、DC-DC转换器等多种应用领域。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（Id）：10A
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=5A
　　功率耗散（Ptot）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSON10

特性

PEMH10,115具有多项优异特性，使其在各类功率电子设备中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）为8.5mΩ，这在4.5V的栅极驱动电压下表现尤为突出，使得MOSFET在导通状态下的功耗极低，从而提高了整体系统的能效。这对于需要长时间运行的设备，如电池供电系统，尤为重要。
　　其次，该MOSFET采用了先进的TSON10封装技术，不仅减小了封装尺寸，还提高了热性能。这种封装方式有助于快速散热，从而提升器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。
　　此外，PEMH10,115具备宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），可以在各种极端环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±12V，支持常见的4.5V至10V驱动电压，兼容多种标准逻辑电平和驱动电路，简化了外围电路的设计并提高了集成度。
　　最后，其最大漏极电流可达10A，漏源电压为30V，能够在多种中高功率应用中可靠运行，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制等。这些特性共同确保了PEMH10,115在高性能电源管理系统中的广泛应用潜力。

应用

PEMH10,115凭借其优异的电气特性和紧凑的封装设计，被广泛应用于多个领域。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，它常被用作负载开关或DC-DC转换器的核心元件，以实现高效的能量管理。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET适用于驱动马达、继电器和各种传感器设备，提供稳定可靠的电源控制方案。此外，PEMH10,115也广泛应用于车载电子系统，例如车载充电器、LED照明驱动和电池管理系统，满足汽车环境下的严苛要求。在通信设备中，该器件可用于电源模块和负载管理单元，确保设备在高负荷运行时的稳定性。由于其出色的热性能和高集成度，PEMH10,115也适用于高密度PCB布局设计，为工程师提供了更高的设计灵活性。