MBR850CT 时间：2025/8/14 23:20:47 阅读：4

MBR850CT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的肖特基二极管，属于功率半导体器件。该器件采用肖特基势垒技术，具有低正向压降和快速开关特性，适用于各种功率转换和整流应用。MBR850CT 通常采用 TO-220 封装形式，具备较高的额定电流和良好的热性能，适合在电源、充电器、DC-DC 转换器等电子设备中使用。

参数

最大正向电流：8A
　　最大反向电压：50V
　　正向压降：约0.47V（典型值，8A时）
　　最大反向漏电流：约10μA（最大值，25℃时）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TO-220AB
　　安装方式：通孔（Through Hole）

特性

MBR850CT 的核心优势在于其优异的肖特基二极管特性，包括低正向压降、快速恢复时间和高效率。该器件的低正向压降（通常为 0.47V）可以显著降低功率损耗，提高电源转换效率。由于没有反向恢复时间，MBR850CT 在高频开关电路中表现优异，减少了开关损耗并提高了系统的整体性能。
　　此外，MBR850CT 具有较高的额定电流（8A）和耐压能力（50V），适用于中高功率的整流和功率转换应用。其采用的 TO-220 封装具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行，适用于恶劣的工作环境。
　　该器件的热阻较低，有助于降低温度上升，提高器件的可靠性和使用寿命。MBR850CT 还具备良好的抗浪涌电流能力，能够在短时过载条件下保持稳定工作，适用于需要高可靠性的工业电源和汽车电子系统。

应用

MBR850CT 主要用于各类功率转换设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、逆变器以及工业控制设备中的整流电路。其低正向压降和高频特性使其特别适用于高效节能的电源系统，如 LED 驱动电源、太阳能逆变器和车载电源系统。
　　在通信设备中，MBR850CT 可用于高频整流电路和功率因数校正（PFC）模块，提高系统的整体效率。同时，它也可以作为续流二极管用于电机驱动和继电器控制电路中，确保电路在断电时的安全运行。
　　此外，该器件还广泛应用于消费类电子产品，如笔记本电脑电源适配器、智能电视电源模块等，为这些设备提供高效、稳定的功率转换解决方案。