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PEMD9,115 发布时间 时间:2025/9/14 19:43:49 查看 阅读:15

PEMD9,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于高频 NPN 晶体管类别。该器件主要用于射频(RF)和中频(IF)放大应用,在通信系统、工业设备以及消费类电子产品中广泛使用。PEMD9,115 采用了先进的制造工艺,具有出色的高频性能和稳定的电气特性,适用于低噪声放大器和混频器等关键电路。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流 (Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压 (Vce):30 V
  最大集电极-基极电压 (Vcb):30 V
  最大功耗 (Ptot):300 mW
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOT89
  增益带宽积 (fT):100 MHz
  直流电流增益 (hFE):110 至 800(视工作条件而定)
  噪声系数:约 1.5 dB(典型值)

特性

PEMD9,115 是一款高性能 NPN 晶体管,专为高频和低噪声应用而设计。其高增益带宽积(fT)达到 100 MHz,使其能够在高频环境下保持良好的放大性能。此外,该晶体管的噪声系数较低,适用于需要高信号完整性的应用,如无线通信系统的前端放大器。PEMD9,115 的 hFE(直流电流增益)范围较宽,可在不同偏置条件下提供稳定的增益表现,适应多种电路设计需求。
  该器件采用了 SOT89 封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适合表面贴装工艺,提高了 PCB 的空间利用率和装配效率。PEMD9,115 还具备较高的击穿电压(Vce 和 Vcb 均为 30 V),在高电压环境下依然能够稳定运行,确保系统可靠性。
  另外,PEMD9,115 的最大集电极电流为 100 mA,适用于中等功率的信号放大任务。其最大功耗为 300 mW,确保在高频工作时不会因过热而影响性能。该晶体管的工作温度范围广泛,从 -65°C 到 +150°C,适用于各种严苛的环境条件,包括工业级和汽车级应用。

应用

PEMD9,115 主要应用于射频(RF)和中频(IF)信号放大电路,特别是在无线通信系统中,如基站、无线接入点、移动通信设备等。由于其低噪声系数和高增益带宽积,该晶体管常用于低噪声放大器(LNA)和混频器中,以提高接收信号的灵敏度和质量。
  此外,PEMD9,115 也适用于消费类电子产品,如电视调谐器、无线音频设备和数据传输模块。在工业控制系统中,该晶体管可用于传感器信号放大、数据采集系统中的前置放大器等。由于其高稳定性和宽工作温度范围,PEMD9,115 也适用于汽车电子系统,如车载通信模块、远程信息处理系统等。
  在射频识别(RFID)、物联网(IoT)设备和短距离无线通信(如蓝牙、ZigBee)应用中,PEMD9,115 也能够提供稳定的信号放大功能,确保数据传输的可靠性和稳定性。

替代型号

BCX56-10,215
  BFQ56
  BFQ68
  MMBT3904

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PEMD9,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934056706115PEMD9 T/RPEMD9 T/R-ND