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PEMD30,115 发布时间 时间:2025/9/14 7:59:16 查看 阅读:6

PEMD30,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款双极性功率晶体管(双晶体管),广泛应用于需要高电流和高功率处理能力的电子电路中。这款晶体管属于 NPN 和 PNP 类型的组合,适合用于电源管理、马达控制、LED 照明和各种工业自动化应用。

参数

晶体管类型:NPN + PNP
  最大集电极电流:30mA(每个晶体管)
  最大集电极-发射极电压:100V(每个晶体管)
  最大功耗:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT428 或其他类似小型封装
  电流增益(hFE):根据型号不同而变化,典型值在 110 至 800 之间
  频率响应:适用于中低频应用

特性

PEMD30,115 是一款高性能的双晶体管组合器件,其主要特性包括:
  ? 高耐压能力:每个晶体管的最大集电极-发射极电压可达 100V,使其适用于高压应用。
  ? 低饱和压降:该器件的饱和压降较低,有助于减少功率损耗,提高电路效率。
  ? 集成双晶体管结构:在一个封装内集成了 NPN 和 PNP 晶体管,节省了 PCB 空间并简化了电路设计。
  ? 高可靠性:采用先进的制造工艺,确保了器件在恶劣环境下的稳定性和长寿命。
  ? 适用于多种放大和开关应用:由于其良好的电流放大特性和开关响应时间,适用于多种模拟和数字电路。
  ? 小型封装:采用 SOT428 等小型封装形式,适合空间受限的设计应用。

应用

PEMD30,115 广泛应用于以下领域:
  ? 电源管理电路:用于稳压器、DC-DC 转换器和电池管理系统。
  ? 马达驱动和控制:在小型电机控制电路中用作开关元件。
  ? LED 照明系统:用于调光和电流控制电路。
  ? 工业自动化设备:用于继电器驱动、传感器信号放大和逻辑控制电路。
  ? 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和便携式音频设备中的电源和信号控制部分。

替代型号

BC857, BC847, BC817, MMBT3904, MMBT3906

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PEMD30,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 20mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934059928115PEMD30 T/RPEMD30 T/R-ND