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PEMD20,115 发布时间 时间:2025/9/14 14:01:51 查看 阅读:11

PEMD20,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双极性晶体管(BJT)阵列,广泛用于需要高可靠性和稳定性的电子电路中。这款晶体管阵列包含两个独立的 NPN 晶体管,采用 SOT23 封装,适合在中等功率应用中使用。PEMD20,115 的设计使其能够提供良好的热稳定性和电流放大能力,适用于开关、放大、逻辑电平转换等多种电子电路应用。

参数

晶体管类型:NPN 双极性晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  电流增益(hFE):110-800(根据工作电流不同)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT23

特性

PEMD20,115 晶体管阵列的一个主要特点是其高电流增益能力,hFE 可在 110 至 800 范围内变化,这使得该器件能够在不同的工作条件下保持稳定的放大性能。
  其次,这款晶体管具有良好的热稳定性,能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内正常工作,适合用于工业级和汽车电子应用中。
  此外,PEMD20,115 采用了 SOT23 小型封装,具有较小的占用空间,便于在高密度 PCB 设计中使用。
  每个晶体管的集电极-发射极电压最大可达 50V,最大集电极电流为 100mA,这使得该器件适合用于中等功率的开关和放大电路。
  由于该器件的两个晶体管是独立封装在一个芯片中,它们可以独立使用,互不干扰,提高了设计的灵活性和可靠性。
  最后,该晶体管的功耗较低,最大为 300mW,有助于提高系统的能效并减少散热需求。

应用

PEMD20,115 主要应用于需要双晶体管结构的电路设计中,例如在放大器电路中作为信号放大器使用,提供稳定的增益和低噪声性能。
  该器件也广泛用于数字电路中的开关应用,例如作为 MOSFET 或继电器的驱动器,控制负载的通断。
  此外,在逻辑电平转换电路中,PEMD20,115 可用于将不同电压等级的信号进行转换,以满足不同电路模块之间的兼容性要求。
  该晶体管也常用于 LED 驱动电路、传感器接口电路以及电源管理电路中。
  在汽车电子系统中,PEMD20,115 可用于车身控制模块、照明系统和车载传感器接口等应用。
  工业自动化设备中,该器件可用于控制继电器、小型电机和执行器等外围设备。

替代型号

BC847BDS,115, BC847N,215, BC848BDS,115

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PEMD20,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 20mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058925115PEMD20 T/RPEMD20 T/R-ND