时间：2025/9/14 19:53:32
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PEMD2,115 是由 STMicroelectronics 生产的一款双路功率 MOSFET 驱动器集成电路，专为高边和低边应用设计。该芯片广泛用于电机控制、电源管理和开关电源系统，提供高效的栅极驱动能力。其封装形式为 SO-8，适合需要高效率和紧凑布局的电子设计。
供电电压范围：4.5V 至 20V
输出电流（峰值）：1.4A（典型值）
输入信号兼容性：CMOS/TTL 兼容
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：SO-8
导通延迟时间：约 100ns（典型值）
关断延迟时间：约 80ns（典型值）
PEMD2,115 具有出色的驱动能力和可靠性。其双通道高边/低边配置使其非常适合用于 H 桥电路和同步降压转换器。该芯片内置欠压锁定保护（UVLO），确保在电源电压不足时不会误触发 MOSFET，从而防止损坏。此外，PEMD2,115 的设计具有较低的静态电流，有助于提高整体系统的能效。它的封装形式为 SO-8，有助于节省 PCB 空间并提高散热性能。内部驱动器采用推挽结构，能够快速驱动大功率 MOSFET，减少开关损耗并提高响应速度。
该器件还具有良好的抗干扰能力，适用于各种恶劣的工业环境。由于其低延迟特性和快速的上升/下降时间，PEMD2,115 非常适合用于高频开关应用。同时，其温度范围广泛，可在极端环境下稳定运行。
PEMD2,115 主要用于以下领域：
1. 电机控制：如无刷直流电机驱动、步进电机控制器等。
2. 开关电源：用于同步降压转换器、DC-DC 转换器等高效电源拓扑结构。
3. 工业自动化：如 PLC 控制器中的功率 MOSFET 驱动电路。
4. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中的高边开关驱动。
5. 家用电器：如变频空调、智能家电中的功率控制模块。
L6384E, IRS2104S
