类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.0A（@Vgs=4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：HSMT-8

PQ20WE5U具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）仅为35mΩ，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了ROHM独有的Trench MOSFET结构，提升了电流处理能力并减少了开关损耗，适用于高频开关电源设计。PQ20WE5U的HSMT封装不仅体积小巧，而且具备良好的热管理和电气性能，能够在高密度PCB布局中有效节省空间并提升散热效率。
　　此外，该MOSFET具有优异的耐用性和稳定性，能够在高温和高电流环境下稳定工作。其栅极设计优化了输入电容和反向恢复特性，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。PQ20WE5U还具备较强的抗静电能力和过热保护特性，提高了整体系统的可靠性。
　　该器件广泛应用于车载设备、工业控制、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和LED照明电源等场景。其优异的电气性能和封装优势使其成为替代传统TO-252或DFN封装MOSFET的理想选择，特别是在对空间和效率有较高要求的设计中。

PQ20WE5U适用于多种电源管理与功率控制应用，包括车载充电系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED照明电源、工业自动化设备和便携式电子设备中的电源模块。其低导通电阻和高效率特性使其在高频率开关电源中表现出色，同时其紧凑的HSMT封装也适用于空间受限的设计。

SiSS14DN,R6004END