您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PEMD19,115

PEMD19,115 发布时间 时间:2025/9/14 11:37:24 查看 阅读:28

PEMD19,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件集成了两个独立的 NPN 型晶体管,适用于多种通用和高性能的模拟电路设计应用。由于其紧凑的封装形式和高集成度,该器件在电路板空间受限的应用中特别受欢迎。PEMD19,115 具有良好的热稳定性和可靠性,适合工业、汽车和消费类电子产品的设计需求。

参数

晶体管类型:NPN x2
  集电极-发射极电压(VCEO):100V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  电流增益(hFE):110-800(根据工作电流不同)
  频率响应(fT):100MHz
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

PEMD19,115 的核心特性之一是其双晶体管阵列结构,使得在 PCB 设计中可以节省空间并简化布线。每个晶体管都具有独立的引脚配置,确保其在并行或独立电路中使用时不会产生干扰。该器件的 hFE 值范围广泛(110 到 800),可根据不同的工作电流进行调整,提供灵活的增益控制能力。此外,该晶体管的 fT(过渡频率)为 100MHz,适合中高频应用,如射频放大器或高速开关电路。
   PEMD19,115 采用 TSOP 封装,这种封装形式适合表面贴装技术(SMT),提高了生产效率,并且有助于提高器件的散热性能。其最大集电极-发射极电压为 100V,最大集电极电流为 100mA,适合中低功率应用。该器件的热稳定性优异,可在恶劣的环境条件下稳定工作,适用于工业和汽车电子系统。
   此外,该晶体管的制造工艺符合 RoHS 标准,符合现代电子产品的环保要求,同时其高可靠性使其在长期运行的应用中表现良好。

应用

PEMD19,115 常用于需要两个独立 NPN 晶体管的电路设计中,如双极性放大器、逻辑电平转换、驱动电路和信号处理模块。在消费类电子产品中,该器件可用于音频放大器、LED 驱动器或传感器接口电路。在工业自动化设备中,它可以作为开关电路或信号缓冲器使用。由于其高频特性,该器件也可用于射频(RF)前端模块或无线通信系统中的信号放大和处理。
   在汽车电子领域,PEMD19,115 可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块或传感器信号调节电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。此外,在电源管理系统中,该器件可以作为低功率开关或稳压器控制电路的一部分。
   由于其表面贴装封装特性,该器件非常适合自动化生产流程,提高了制造效率并降低了成本。因此,它也广泛应用于大批量制造的电子产品中,如智能手机、可穿戴设备和物联网(IoT)设备。

替代型号

BC847B, BC817-25, 2N3904, MMBT3904

PEMD19,115推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PEMD19,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058924115PEMD19 T/RPEMD19 T/R-ND