时间：2025/9/14 21:51:49
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PEMD13,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），主要用于功率放大和开关应用。该晶体管采用 PNP 构造，具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于各种工业控制、电源管理和消费类电子产品。该器件封装在 TO-220 塑料封装中，便于散热和安装。
类型：PNP 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
最大集电极电流（IC）：15A
最大功耗（PD）：125W
电流增益（hFE）：50-300（根据工作条件）
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
PEMD13,115 晶体管具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。
首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压（VCEO）为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压开关和放大电路。其最大集电极电流为 15A，具备较强的电流驱动能力，适合用于电源转换、电机控制等需要高电流的场景。
其次，该器件的最大功耗为 125W，结合其 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能，能够在较高温度下稳定工作。其 hFE（电流增益）范围为 50 至 300，根据不同的工作条件提供多档选择，满足不同放大电路的设计需求。
PEMD13,115 主要用于需要高电流和高电压能力的电路中。其典型应用包括开关电源、直流电机驱动、功率放大器、继电器驱动电路、工业控制系统以及消费类电子设备中的功率调节模块。由于其良好的热稳定性和较高的电流承载能力，该晶体管在自动化设备、电源适配器和电池充电器中也得到了广泛应用。
TIP36C, 2N6491, BDW83D
