时间：2025/9/4 22:11:46
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BM23FR0.6-50DP-0.35V(51) 是一款由ROHM Semiconductor生产的铁氧体磁珠，用于电子电路中的噪声抑制。这种磁珠能够在高频范围内有效阻断噪声信号，同时保持较低的直流电阻，以减少对有用信号的干扰。该型号的封装设计适用于表面贴装技术（SMT），便于在现代电子设备中使用。
产品类型：磁珠
材料：铁氧体
额定电流：0.6A
阻抗 @ 100MHz：50Ω
直流电阻（DCR）：0.35Ω
容差：±20%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装/外壳：0805（公制尺寸）
BM23FR0.6-50DP-0.35V(51) 磁珠具有良好的高频噪声抑制能力，能够在广泛的工作温度范围内保持稳定的性能。其低直流电阻特性确保了在传输有用信号时的高效能，同时不会引入显著的电压降。这种磁珠适用于多种电子设备，能够在电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）的抑制方面发挥重要作用。此外，其坚固的封装设计使其能够承受SMT工艺过程中的高温，确保在PCB上的可靠安装。
该磁珠的设计使得其在100MHz频率下的阻抗为50Ω，这表明它在该频率下能够有效抑制噪声。同时，其额定电流为0.6A，适合用于中等功率的电路应用。在制造和设计上，BM23FR0.6-50DP-0.35V(51) 符合RoHS标准，不含有害物质，符合现代电子产品的环保要求。
BM23FR0.6-50DP-0.35V(51) 磁珠广泛应用于多种电子设备中，包括消费电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子系统。它常用于电源线、信号线或数据线中的噪声滤波，以减少电磁干扰（EMI）对系统性能的影响。在PCB设计中，这种磁珠通常被放置在电源入口处或敏感电路的前端，以保护电路免受外部噪声的干扰。此外，它也可用于保护敏感的模拟电路、射频电路以及数字电路免受噪声影响。
LQH3NFR50J0LZ 、 LQH3NFR50J0LZ 、 BLM21PG600SN1D 、 BLM18PG600SN1D 、 BLM18SG600TN1D
