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PEMB1,115 发布时间 时间:2025/9/14 11:23:20 查看 阅读:14

PEMB1,115 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率因数校正(PFC)控制器集成电路,广泛用于开关电源、AC/DC转换器和LED驱动器等应用中。该器件采用高性能的BiCMOS工艺制造,具有低功耗、高稳定性和出色的抗干扰能力。PEMB1,115 特别适用于需要高效率和高功率因数的电源设计,支持升压拓扑结构,能够实现临界导通模式(CrM)或连续导通模式(CCM)操作,从而提高能效并降低电磁干扰(EMI)。

参数

工作电压范围:10V ~ 20V
  启动电流:最大5μA
  工作频率范围:最高可达200kHz
  最大占空比:97%
  误差放大器带宽:4MHz
  过压保护阈值:典型值为3.3V
  欠压锁定阈值:典型值为8V(启动)和7.5V(关闭)
  温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:SO-8

特性

PEMB1,115 提供了完整的功率因数校正解决方案,内置高压启动电路,显著降低了外部元件数量并提高了系统可靠性。其内置的误差放大器具有高带宽,支持快速响应和高精度的输出电压调节。该器件支持多种工作模式,包括临界导通模式(CrM)和连续导通模式(CCM),可根据负载条件自动切换,从而优化效率。PEMB1,115 还具备多种保护功能,如过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP),确保系统在各种异常情况下的安全运行。此外,该芯片采用低功耗设计,待机功耗极低,符合现代能效标准。
  PEMB1,115 的软启动功能可防止启动时的电流冲击,提高系统稳定性。其可编程的频率抖动功能有助于降低EMI辐射,使设计更容易通过EMC认证。通过外部电阻分压器,可以灵活设置输出电压,适用于多种电源拓扑结构。该器件的高集成度和多功能设计使其成为高性能电源应用的理想选择。

应用

PEMB1,115 主要应用于功率因数校正电路,适用于各类开关电源、AC/DC转换器、LED驱动器、适配器、充电器以及工业电源系统。由于其高效能和高可靠性的特点,该器件也常用于家电、服务器电源、电信设备和消费类电子产品中。PEMB1,115 特别适合需要满足高能效标准(如Energy Star和80 PLUS)的电源设计,能够在宽输入电压范围内稳定工作,适应不同的电网条件。

替代型号

L6562, NCP1653, ICE2PCS01

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PEMB1,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934056869115PEMB1 T/RPEMB1 T/R-ND