时间：2025/8/2 5:34:02
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DMT68M8LSS-13 是一款由 Diodes 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效功率管理应用，具备低导通电阻（RDS(on)）和高功率处理能力。这款 MOSFET 采用 8 引脚 SOIC 封装，适合用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。DMT68M8LSS-13 在高温环境下依然能保持良好的性能和稳定性，是一款广泛用于工业、消费电子和汽车电子领域的功率器件。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：50A
功耗（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：8 引脚 SOIC
导通电阻（RDS(on)）：最大 8.3mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：46nC
输入电容（Ciss）：1900pF
短路耐受能力：有
DMT68M8LSS-13 具有多个关键特性，使其成为高性能功率转换应用的理想选择。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件支持高达 50A 的连续漏极电流，能够处理高功率需求的应用场景。此外，它具备良好的热稳定性，在高电流和高温环境下依然能保持可靠运行，从而延长设备的使用寿命。
其 8 引脚 SOIC 封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。DMT68M8LSS-13 的栅极驱动电压范围宽泛，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，适用于多种驱动电路设计。该器件还具有较高的短路耐受能力，能够在突发短路情况下提供一定程度的保护，提高系统的鲁棒性。
此外，该 MOSFET 的输入电容较低，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适合高频开关应用。它广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统和负载开关等电路中。
DMT68M8LSS-13 主要应用于需要高效功率控制和高电流处理能力的电子系统中。它常见于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）中。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件也广泛用于高效率电源适配器、服务器电源、电信设备和工业自动化控制系统。
在汽车电子领域，DMT68M8LSS-13 可用于车载充电器、电动工具、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高可靠性和高性能功率开关的场合。该器件也适用于需要快速开关和高稳定性的应用，如逆变器、同步整流器和功率因数校正电路。
Si7320DP, FDS6680, DMT4083LSS-13, NDS8858
