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PE42724A-Z 发布时间 时间:2025/12/25 5:37:15 查看 阅读:13

PE42724A-Z 是一款由 Peregrine Semiconductor(现为 Qorvo)制造的高性能射频开关芯片,属于 UltraCMOS 系列产品。该器件采用先进的硅基单片集成电路技术,具有低插入损耗、高隔离度以及快速开关速度的特点。PE42724A-Z 是一个单刀四掷(SP4T)开关,适用于高频射频和微波通信系统。其工作频率范围宽广,支持从直流到 4 GHz 的信号切换,适用于多种无线通信标准,包括蜂窝通信、Wi-Fi、WiMAX 和其他射频前端模块。

参数

类型: 射频开关
  开关类型: 单刀四掷(SP4T)
  工作频率: DC ~ 4 GHz
  插入损耗: 典型值 0.45 dB(频率 2.5 GHz)
  隔离度: 典型值 40 dB(频率 2.5 GHz)
  回波损耗: 25 dB(典型值)
  切换时间: 150 ns(典型值)
  供电电压: +2.3V 至 +3.6V
  控制接口: 逻辑控制(CMOS/TTL 兼容)
  封装形式: 16 引脚 QFN
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C

特性

PE42724A-Z 采用先进的 UltraCMOS 工艺制造,具备出色的射频性能和高可靠性。其低插入损耗和高隔离度确保了射频信号在切换过程中的最小衰减和干扰,适用于高性能射频系统。芯片的快速切换时间(150 ns)使其适合需要快速信号路由的应用,例如多频段天线切换和测试测量设备中的多路复用操作。该器件的宽频率范围(DC ~ 4 GHz)使其兼容多种通信标准,包括 2G、3G、4G LTE、Wi-Fi 和蓝牙。PE42724A-Z 的逻辑控制接口与标准 CMOS/TTL 电平兼容,简化了与微控制器或数字系统的集成。此外,芯片的 16 引脚 QFN 封装体积小巧,适合高密度 PCB 设计,并具有良好的散热性能。由于采用了 CMOS 工艺,该器件的功耗较低,适合电池供电设备和便携式应用。PE42724A-Z 还具备良好的温度稳定性,可在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内可靠工作,适用于严苛的工业和通信环境。
  该射频开关无需外部射频匹配电路,降低了设计复杂度并节省了 PCB 面积。其高线性度和高功率处理能力(典型 P1dB 为 29 dBm)使其能够在高动态范围的系统中稳定运行,例如基站前端和射频测试仪器。此外,该器件的高 ESD 静电放电抗扰度(HBM 模式下可承受 2 kV)提高了其在实际应用中的耐用性和稳定性。

应用

PE42724A-Z 主要用于各种射频和微波通信系统中,包括蜂窝基站、无线基础设施、测试和测量设备、射频前端模块、多频段天线切换、无线局域网(WLAN)、Wi-Fi 路由器、工业自动化设备和射频信号路由系统。它也适用于需要高隔离度和低插入损耗的医疗射频设备、航空航天和国防通信系统,以及便携式无线终端设备。该芯片的高性能特性使其成为高端射频设计中的关键组件。

替代型号

PE42724A, PE42724-AZ, PE42724B-Z

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PE42724A-Z参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥20.17375卷带(TR)
  • 系列UltraCMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 射频类型-
  • 拓扑反射
  • 电路SPDT
  • 频率范围5MHz ~ 1.79GHz
  • 隔离-
  • 插损-
  • 测试频率-
  • P1dB-
  • IIP3-
  • 特性-
  • 阻抗75 欧姆
  • 电压 - 供电2.3V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳12-WFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装12-QFN(3x3)