类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：50V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：13A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：100A
　　正向电压降（VF）：典型值0.78V（在13A, 25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在50V, 25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻结至外壳（RθJC）：约1.5°C/W
　　封装类型：DFN132（双面散热DFN）
　　安装方式：表面贴装
　　是否符合RoHS：是

UR132L-50-AF5-C-R的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料所带来的卓越电气性能。与传统的硅基PIN二极管相比，该器件实现了真正的肖特基势垒结构，因此不存在少数载流子存储效应，从根本上消除了反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复电流尖峰。这一特性极大降低了开关损耗，尤其是在高频DC-DC转换器、图腾柱PFC电路和LLC谐振变换器中，能够显著提升系统效率并减少电磁干扰（EMI）。此外，由于没有反向恢复行为，该二极管在并联使用时具有天然的电流均衡能力，避免了因动态不均流导致的热失控问题。
　　该器件的正向导通压降较低，在13A工作电流下典型值仅为0.78V，这有助于减少导通损耗，提高能效表现。同时，其正向电压温度系数呈正相关，即随着温度升高VF略有上升，这一特性有利于多个器件并联时实现自动均流，进一步增强系统的稳定性和可靠性。UR132L-50-AF5-C-R可在高达+175°C的结温下持续工作，展现出优异的高温稳定性，特别适用于空间受限且散热条件有限的应用场景。
　　DFN132封装设计不仅体积小巧，还支持双面散热，有效降低热阻，提升功率密度。这种封装形式减少了引线电感，改善了高频噪声表现，非常适合现代高密度电源模块设计。此外，该器件具备较强的抗浪涌电流能力，可承受高达100A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。总体而言，UR132L-50-AF5-C-R凭借其低损耗、高频率兼容性、高可靠性和紧凑封装，成为下一代高效电源系统中的关键元件之一。

UR132L-50-AF5-C-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中。在服务器和电信电源中，它常用于同步整流或次级侧整流，以替代传统MOSFET体二极管，从而降低导通和开关损耗，提升整体电源效率。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流输入端的防反接保护或MPPT电路中的续流路径，利用其零反向恢复特性减少能量损耗并简化EMI滤波设计。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充系统中，UR132L-50-AF5-C-R适用于PFC升压级或DC-DC变换器中的整流环节，帮助实现更高的功率密度和更长的续航里程。
　　此外，该器件也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、高密度AC-DC适配器以及LED照明电源等对效率和可靠性要求较高的场合。由于其能够在高温环境下稳定运行，因此在密闭或自然冷却的设备中具有明显优势。在图腾柱无桥PFC拓扑中，UR132L-50-AF5-C-R作为高频臂整流元件，可以完全消除反向恢复带来的损耗和电压振荡，大幅提高PFC级效率，是实现99%以上超高效率的关键组件之一。同时，其快速响应特性也适用于高频软开关电路，如ZVS/ZCS拓扑结构，确保系统在宽负载范围内保持高效运行。

UJ3D132K50B0