类型：SPDT RF开关
　　工艺技术：UltraCMOS（SOI）
　　工作频率范围：DC ~ 6000 MHz
　　供电电压：3 V ~ 5 V
　　控制逻辑电平：CMOS/TTL兼容
　　插入损耗（典型值）：0.4 dB @ 2.5 GHz
　　隔离度（典型值）：35 dB @ 2.5 GHz
　　输入三阶交调点（IIP3，典型值）：+67 dBm
　　功率处理能力（连续波）：+30 dBm
　　切换时间（上升/下降）：< 20 ns
　　关断状态电流消耗：< 1 μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：SC-70-6, SOT-23-6

PE4268射频开关的核心优势之一在于其采用的UltraCMOS技术，该技术结合了传统CMOS的低成本、高集成度优势与GaAs等化合物半导体的高频性能特点。这种基于绝缘体上硅（SOI）的工艺显著降低了寄生电容和漏电流，从而提升了器件的射频性能和能效。该开关在宽频率范围内表现出极低的插入损耗，例如在2.5GHz时典型值仅为0.4dB，这意味着信号在通过开关时的能量损失非常小，有助于保持接收灵敏度和发射效率。同时，其高达35dB的隔离度确保了在开关切换状态下，两个射频端口之间的信号泄漏极小，有效防止了串扰和干扰，特别适用于收发开关（T/R Switch）等对隔离要求较高的应用场景。
　　另一个关键特性是其出色的线性性能，PE4268的输入三阶交调点（IIP3）高达+67dBm，表明其在高功率信号环境下仍能保持良好的信号保真度，不易产生互调失真。这对于现代多模多频通信系统尤为重要，尤其是在密集信号环境中，如蜂窝基站前端模块或智能手机射频前端，能够显著提升系统的动态范围和抗干扰能力。此外，该器件支持高达+30dBm的连续波功率处理能力，使其能够承受较高的射频功率而不损坏，增强了系统的可靠性。
　　PE4268还具备快速的开关切换速度，切换时间小于20纳秒，适用于需要高速切换的应用，如时分双工（TDD）系统中的收发切换。其低功耗特性也极为突出，在关断状态下的电流消耗低于1μA，有助于延长电池供电设备的续航时间。控制接口为CMOS/TTL兼容，可直接由3.3V或5V逻辑信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。总体而言，PE4268凭借其高集成度、优异的射频性能、低功耗和高可靠性，成为无线通信、便携式设备和射频前端模块中的理想选择。

PE4268广泛应用于各类无线通信系统中，尤其适合需要高性能射频切换功能的移动终端和基础设施设备。在智能手机和平板电脑中，它常被用于天线切换、分集天线选择或多频段射频路径管理，以优化信号接收质量和网络连接稳定性。在蜂窝通信系统中，该器件可用于GSM、WCDMA、LTE和5G NR等多模多频前端模块，实现发射与接收路径之间的高效切换。此外，由于其宽频带特性，PE4268也适用于Wi-Fi 5（802.11ac）、Wi-Fi 6（802.11ax）和蓝牙/BLE等短距离无线通信模块，支持多协议共存和天线共享设计。
　　在物联网（IoT）设备中，如智能穿戴设备、无线传感器节点和智能家居产品，PE4268的低功耗和小型化封装使其成为理想的射频开关解决方案，有助于延长电池寿命并节省PCB空间。在工业无线应用中，如远程监控、无线音频传输和RFID系统，该器件同样表现出色。此外，PE4268还可用于测试与测量设备中的自动射频信号路由、便携式无线电设备以及军事和航空航天领域的高可靠性通信系统。得益于其高线性度和高功率处理能力，该开关也适用于功率放大器输出匹配网络切换或滤波器组切换等射频前端架构中，提升系统的灵活性和适应性。

PE4269, PE4270, SKY13360-375LF, SKY13361-375LF, TQQ3M9024