工作电压：2.3 V 至 5.5 V
　　控制逻辑类型：CMOS/TTL 兼容
　　封装类型：SC-70-6 或 SOT-23-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　频率范围：DC 至 6 GHz
　　插入损耗（典型值，f = 2.5 GHz）：0.4 dB
　　隔离度（典型值，f = 2.5 GHz）：45 dB
　　输入IP3（IIP3，典型值）：+67 dBm
　　P1dB压缩点（典型值）：+39 dBm
　　切换时间（上升/下降）：< 20 ns
　　关断状态电流（典型值）：1 μA
　　ESD耐受能力：HBM > 2 kV

PE42660射频开关的核心优势在于其采用的UltraCMOS半导体技术，这是一种基于绝缘体上硅（SOI）的先进工艺，结合了CMOS的低成本和高集成度优势与GaAs器件的高频性能特点。该技术使得PE42660在宽频带范围内实现了极低的插入损耗和优异的隔离性能，确保射频信号在传输过程中的最小衰减和串扰。在2.5 GHz频率下，其插入损耗仅为0.4 dB，同时提供高达45 dB的隔离度，这使其非常适合用于对信号质量要求严苛的应用场景，如5G小基站、Wi-Fi 6前端模块和多频段射频前端设计。
　　该器件具备出色的线性性能，其输入三阶交调截点（IIP3）高达+67 dBm，1 dB压缩点（P1dB）达到+39 dBm，表明其能够处理高功率信号而不引入显著的非线性失真，从而保障通信系统的动态范围和接收灵敏度。这一特性对于现代宽带通信系统尤为重要，尤其是在存在多个强干扰信号的环境中，高线性度有助于减少互调产物，提升整体系统性能。
　　PE42660支持快速切换能力，其开关切换时间小于20纳秒，能够满足高速跳频、时分双工（TDD）等需要快速路径切换的应用需求。其控制接口兼容标准的CMOS和TTL逻辑电平，支持1.8 V、2.5 V和3.3 V的逻辑输入，极大简化了与基带处理器或FPGA的接口设计。此外，该器件在断电或未激活状态下仅消耗约1微安的电流，显著降低了待机功耗，适用于电池供电或绿色节能型设备。
　　在可靠性方面，PE42660具备超过2 kV的HBM（人体模型）静电放电（ESD）防护能力，增强了其在生产和现场使用中的鲁棒性。其工作温度范围覆盖-40°C至+105°C，可在高温环境下稳定运行，适用于工业级和户外通信设备。小型化的SC-70或SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，有利于大规模生产。综合来看，PE42660是一款集高性能、低功耗、高可靠性和易用性于一体的射频开关解决方案。

PE42660广泛应用于各类需要高效射频信号路由管理的电子系统中。在无线通信基础设施领域，它常用于小型蜂窝基站（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）和射频拉远单元（RRU）中，实现发射与接收路径之间的快速切换，支持TDD操作模式。在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，如无线传感器网络、远程监控系统和RFID读写器，PE42660凭借其宽频带特性和高隔离度，可有效提升信号传输的稳定性和抗干扰能力。
　　在消费类电子产品方面，该器件被广泛集成于Wi-Fi 6/6E路由器、接入点和客户端模块中，用于天线切换或多频段射频前端控制，优化无线连接性能。此外，在物联网（IoT）终端设备中，由于其低功耗特性，PE42660成为电池供电节点中理想的射频开关选择，有助于延长设备续航时间。
　　在测试与测量仪器中，如矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和射频信号发生器，PE42660可用于内部射频路径切换，提高测试系统的灵活性和精度。其高线性度和低失真特性确保测试结果的准确性。此外，该芯片也适用于军事通信、航空航天电子系统以及软件定义无线电（SDR）平台，这些应用对器件的可靠性、温度适应性和射频性能有极高要求。
　　由于其封装小巧且易于布局，PE42660还可用于紧凑型模块化设计，如M.2或Mini-PCIe格式的无线通信模块。总体而言，无论是在通信、工业还是测试领域，PE42660都能为射频系统提供稳定、高效的信号切换功能。

PE42659
　　PE42670
　　PE42674
　　Skyworks SKY13360-397LF
　　Qorvo QM18002L
　　ADI HMC348ALC3B