时间：2025/7/16 16:48:19
阅读：7
PE42641MLBD-Z 是一款高性能、低插入损耗的射频开关，基于砷化镓（GaAs）工艺制造。该器件属于 pHEMT 技术类别，适用于无线通信基础设施和测试测量设备中的射频信号切换应用。它支持高达 6 GHz 的频率范围，具有高线性度和低功耗的特点。
PE42641MLBD-Z 提供单刀四掷（SP4T）配置，能够实现多个射频路径之间的快速切换，同时保持卓越的射频性能。其紧凑的封装设计使得它非常适合空间受限的应用环境。
类型：射频开关
配置：SP4T
工作频率：DC 至 6 GHz
插入损耗：0.75 dB（典型值，在 2.5 GHz）
隔离度：38 dB（最小值，在 2.5 GHz）
VSWR：1.5:1（最大值，在 2.5 GHz）
电源电压：2.7 V 至 5.5 V
静态电流：2 mA（典型值）
封装形式：MLP 3x3
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
PE42641MLBD-Z 具备以下显著特性：
1. 高线性度，适合高动态范围的应用场景。
2. 极低的插入损耗，确保信号传输效率。
3. 高隔离度，有效防止射频信号串扰。
4. 宽泛的工作电压范围，适应多种电源设计需求。
5. 小型化的 MLP 封装，节省 PCB 空间。
6. 支持 SPI 接口控制，简化了多路开关的管理。
7. 工作温度范围广，适合各种恶劣环境下的使用。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站中的射频信号切换。
2. 测试与测量设备中的多路信号选择。
3. 雷达系统中的天线波束控制。
4. GPS 和其他导航系统的信号处理。
5. 射频前端模块中的通道切换。
6. 工业物联网（IIoT）设备中的信号路由。
PE42640, PE42642
