类型：SPDT RF Switch
　　工艺技术：UltraCMOS（SOI CMOS）
　　工作频率范围：DC to 6 GHz
　　供电电压：2.3 V 至 5.5 V
　　控制逻辑电平：兼容 1.8 V、2.5 V、3.3 V 和 5 V
　　插入损耗（典型值）：0.4 dB @ 2.5 GHz
　　隔离度（典型值）：35 dB @ 2.5 GHz
　　P1dB压缩点：+37 dBm（典型值）
　　三阶交调截点（IIP3）：+70 dBm（典型值）
　　开关切换时间（上升/下降）：< 15 ns
　　封装形式：2 mm × 2 mm MLP（8引脚）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD耐压：HBM > 2 kV

PE40D13S基于Skyworks的UltraCMOS技术平台，这是一种利用绝缘体上硅（Silicon-on-Insulator, SOI）工艺实现的先进半导体制造技术，使其在射频性能和集成能力之间达到了卓越平衡。该技术使得PE40D13S能够在宽频率范围内提供极低的插入损耗和高隔离度，这对于保持通信链路的信噪比和系统灵敏度至关重要。例如，在2.5 GHz频段下，其插入损耗仅为0.4 dB，显著低于传统GaAs开关，有助于提升接收机灵敏度和发射效率。同时，高达35 dB的隔离度有效抑制了不同射频路径之间的串扰，增强了多模多频系统的共存性能。
　　该器件具备出色的线性性能，其输入三阶交调截点（IIP3）达到+70 dBm，1 dB压缩点（P1dB）为+37 dBm，表明其在高功率信号处理中具有很强的抗失真能力，适用于高数据速率传输场景，如LTE Advanced、5G NR和Wi-Fi 6E等标准下的射频前端设计。此外，快速的开关切换时间小于15纳秒，确保了在时分双工（TDD）系统中能够实现毫秒级的收发切换，满足现代通信协议对响应速度的要求。
　　PE40D13S采用2 mm × 2 mm的微型MLP封装，仅8个引脚，极大节省PCB布局空间，特别适合高度集成的移动终端产品。其控制接口支持多种逻辑电平（1.8 V至5 V），无需额外电平转换器即可与各类基带IC直接对接，降低了系统成本和设计复杂度。器件还内置了静电保护机制，人体模型（HBM）ESD耐受能力超过2 kV，提升了生产装配和现场使用的可靠性。
　　在环境适应性方面，PE40D13S可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，满足严苛的应用条件。其低功耗特性也使其非常适合电池供电设备，静态电流消耗极低，有助于延长续航时间。总体而言，PE40D13S凭借其高性能、小尺寸、宽电压兼容性和高可靠性，成为当前主流射频开关中的优选器件之一。

PE40D13S广泛应用于各类需要高性能射频路径切换的无线通信系统中。在移动通信领域，它常用于智能手机和平板电脑中的天线开关模块（ASM），实现多频段GSM、WCDMA、LTE和5G NR信号的发射与接收路径切换，支持全球漫游所需的多模多频操作。其低插入损耗特性有助于提高接收灵敏度，增强弱信号环境下的通信质量。
　　在无线局域网（Wi-Fi）设备中，该芯片可用于2.4 GHz和5 GHz双频段路由器、接入点和客户端模块，完成天线分集或MIMO系统中的信号路由选择，提升网络吞吐量和连接稳定性。此外，在物联网（IoT）终端设备如智能穿戴设备、无线传感器节点和工业远程监控装置中，PE40D13S因其小封装和低功耗特点而被广泛采用，支持蓝牙、Zigbee、Thread等多种短距离无线协议的射频前端设计。
　　在测试与测量仪器领域，该器件可用于射频自动测试设备（ATE）、信号发生器和频谱分析仪中的内部开关矩阵，实现多通道信号路径的快速切换，保障测试精度和响应速度。此外，也可应用于车载通信系统、无人机遥控链路、卫星通信终端以及军事和航空航天领域的高可靠性射频子系统，满足对性能和稳定性的严格要求。

PE4269
　　PE43713
　　SKY13360-375LF
　　ASM181211