时间：2025/8/13 18:12:05
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IDT71V2577YS80BQG是一款由Renesas（原Integrated Device Technology，IDT）公司制造的高速静态随机存取存储器（SRAM），属于高性能异步SRAM产品系列。该器件采用先进的CMOS工艺制造，提供高速访问时间和低功耗的特性，适用于各种需要高速数据存取的系统应用。IDT71V2577YS80BQG为256K x 16位的SRAM芯片，容量为4兆位（4Mbit），采用16位数据总线架构，适合用于缓存、帧缓冲器、高速缓冲存储器等场景。该器件封装为132引脚塑料方形扁平封装（PQFP），适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在恶劣环境下的稳定运行。
类型：静态随机存取存储器（SRAM）
容量：4 Mbit（256K x 16）
电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：8 ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装：132引脚塑料方形扁平封装（PQFP）
数据总线宽度：16位
功耗：典型值约200 mA（待机模式下电流低至10 mA）
读取电流：最大180 mA
写入电流：最大360 mA
IDT71V2577YS80BQG具有多项高性能和高可靠性的特点，使其在多种高速存储应用中表现出色。首先，其8 ns的访问时间使得该SRAM能够满足高速数据传输的需求，适用于对响应时间要求极高的系统设计。其次，该器件采用CMOS工艺技术，不仅保证了高速性能，同时也实现了较低的功耗，特别是在待机模式下，其电流消耗可低至10 mA，有助于节能设计。
此外，IDT71V2577YS80BQG支持异步读写操作，提供灵活的控制信号（如CE#、OE#、WE#），允许与多种微处理器和控制器兼容。其16位并行数据总线接口可提供高达160 Mbytes/s的数据带宽，满足高速数据交换需求。器件内部还集成了输出使能（OE#）功能，可有效控制数据输出状态，避免总线冲突。
在可靠性方面，该SRAM支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在各种环境条件下稳定运行，并具备较强的抗干扰能力。封装方面，132引脚PQFP封装设计便于PCB布局和散热管理，适合嵌入式系统、通信设备、工业控制设备等应用。
IDT71V2577YS80BQG广泛应用于需要高速数据处理和存储的电子系统中。典型应用包括网络交换机和路由器的缓存存储器、图像处理设备的帧缓冲器、工业控制系统的高速缓存、测试设备的数据缓冲单元、以及高端嵌入式系统的临时存储模块。此外，该器件也可用于高性能数据采集系统、实时控制系统和通信基础设施设备。
IDT71V2577YS80BQGI, IDT71V2577YS80PF, CY7C1380C-80BZC, IS61WV25616EBLL-8TLI
