频率范围：DC 至 4 GHz
　　插入损耗：典型值 0.4 dB（在 2.5 GHz）
　　隔离度：典型值 35 dB（在 2.5 GHz）
　　VSWR：输入/输出端口 < 1.3:1
　　工作电压：2.7 V 至 5.5 V
　　控制电压：兼容 1.8 V 至 5 V CMOS/TTL
　　封装类型：16 引脚 QFN（3 x 3 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

PE3400A 是一款高性能的单刀双掷（SPDT）射频开关芯片，具备多项优异的技术特性。其基于 UltraCMOS 技术，这种工艺结合了传统 CMOS 的低成本优势和 SOI（绝缘体上硅）的高性能特点，使得 PE3400A 在高频应用中表现出色。芯片的工作频率范围覆盖 DC 至 4 GHz，适用于多种无线通信标准，如 4G LTE、Wi-Fi 和 WiMAX。插入损耗低至 0.4 dB（在 2.5 GHz 时），保证了信号在通过开关时的衰减最小，从而提高了系统的整体效率。隔离度高达 35 dB（在 2.5 GHz 时），确保了不同通道之间的信号干扰降到最低，提升了信号的纯净度和系统的稳定性。VSWR 值低于 1.3:1，表明其输入和输出端口具有良好的阻抗匹配，减少了信号反射，适用于高精度的射频系统设计。PE3400A 支持宽范围的电源电压（2.7 V 至 5.5 V），并兼容 1.8 V 至 5 V 的 CMOS/TTL 控制信号，使其能够灵活地集成到各种电路设计中。此外，其采用 16 引脚 QFN 封装（尺寸为 3 x 3 mm），具有紧凑的体积，适用于空间受限的便携式设备和高密度 PCB 设计。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级和军事级应用的需求，具有良好的环境适应性和可靠性。
　　PE3400A 还具备出色的线性性能，具有高 P1dB（输入 1 dB 压缩点）和高 IIP3（输入三阶交调截距），这意味着它在高功率应用中仍能保持良好的信号完整性，减少非线性失真。该芯片无需外部直流阻断电容，进一步简化了外围电路设计，降低了整体系统成本。同时，其快速切换时间（通常在微秒级别）使得它适用于需要高速切换的动态系统。由于采用了低功耗设计，PE3400A 在运行过程中消耗的电流极低，适合用于电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。

PE3400A 主要用于各种射频和微波通信系统中，作为高性能射频开关使用。它适用于蜂窝通信基础设施（如 4G LTE 基站和中继器）、Wi-Fi 接入点、WiMAX 设备、无线测试仪器、工业控制系统、雷达和军事通信设备等。由于其优异的高频性能和稳定性，该芯片也广泛应用于医疗成像设备、无线传感器网络以及物联网（IoT）通信模块。PE3400A 特别适合需要高隔离度、低插入损耗和快速切换的多频段或多天线系统，例如 MIMO（多输入多输出）天线切换、双工器旁路电路、发射/接收切换电路以及射频测试设备中的信号路由控制。

PE42020, HMC642, ADG904, SKY13351