时间：2025/9/13 6:40:29
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2N7002-R1是一款常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路、逻辑电平转换和负载控制等场景。该器件采用小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。作为标准的逻辑电平MOSFET，2N7002-R1能够在较低的栅极电压下工作，使其兼容多种数字控制电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：110mA
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：约10nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
2N7002-R1具有低导通电阻、良好的热稳定性和较高的开关速度等特性。其低RDS(on)使其在开关应用中具有较低的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较强的抗过载能力，可在较宽的温度范围内稳定运行，适用于工业控制和消费电子等多种环境。
由于其采用SOT-23封装，2N7002-R1在PCB上的占位较小，便于设计紧凑型电路。该器件还具有良好的栅极驱动兼容性，可由标准逻辑电平直接驱动，无需额外的栅极驱动电路，降低了设计复杂度和成本。
此外，2N7002-R1的高可靠性使其在长期运行中表现出色，适用于需要稳定性能的电源管理和信号切换应用。
2N7002-R1常用于各种电子设备中的开关控制、逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制和电源管理等应用。例如，在微控制器系统中，它可以作为外部负载的开关元件，控制电机、继电器或LED阵列的通断。此外，该器件也适用于DC-DC转换器、电池管理系统和低功率电源开关电路。在工业自动化和消费电子产品中，2N7002-R1也广泛用于信号路由和负载控制。
2N7000, BSS138, FDN302P, 2N7002K
