时间：2025/12/25 13:51:18
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PDZVTR7.5B是罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款7.5V齐纳二极管，属于表面贴装SOD-323封装的小型化稳压器件。该器件设计用于在低电流条件下提供精确且稳定的参考电压，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局场景。PDZVTR7.5B具有优良的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内保持可靠的性能表现。其反向击穿电压标称值为7.5V，在额定测试电流下可实现±2%的电压容差，确保系统电源或信号线路中的电压钳位精度。作为PDZ系列的一员，该器件采用了先进的制造工艺，具备良好的长期稳定性和抗老化能力，适合需要长时间运行而无需维护的应用环境。
该齐纳二极管采用SOD-323封装，体积小巧，典型尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm，便于自动化贴片生产，并支持回流焊工艺。这种封装形式不仅节省电路板空间，还具备一定的散热能力，能够满足大多数低压稳压需求。此外，PDZVTR7.5B符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于绿色电子产品设计。由于其优异的动态阻抗特性和快速响应能力，该器件常被用于电压参考、过压保护、电平转换以及噪声抑制等关键功能模块中，广泛应用于消费类电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
类型：齐纳二极管
齐纳电压（Vz）：7.5V
齐纳电压容差：±2%
测试电流（Iz）：5mA
最大齐纳阻抗（Zzt）：35Ω
功率耗散（Pd）：200mW
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-323
极性：单齐纳二极管
反向漏电流（Ir）：5μA（最大值，Vr = 1V）
峰值脉冲功率（Ppm）：300mW（短时间）
PDZVTR7.5B具备出色的电压稳定性与温度补偿能力，其核心特性之一是在额定工作条件下提供高度精确的7.5V齐纳电压输出。该器件在5mA的测试电流下表现出±2%的电压容差，这使其非常适合对电压精度要求较高的模拟电路和参考源设计。其低动态阻抗（最大35Ω）意味着即使负载电流发生微小变化，也能有效抑制电压波动，从而维持系统的稳定运行。这一特性对于需要高精度基准电压的ADC/DAC参考、偏置电路或反馈控制系统尤为重要。
另一个显著特点是其优异的温度系数表现。PDZVTR7.5B经过优化设计，在+25°C附近实现了接近零温度系数的工作点，减少了因环境温度变化引起的电压漂移。这对于在宽温环境下工作的设备（如户外传感器、车载电子或工业控制器）至关重要，有助于提高整体系统的可靠性和测量准确性。同时，该器件可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，展现出强大的环境适应能力。
SOD-323封装赋予了PDZVTR7.5B小型化与轻量化优势，适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对空间极为敏感的产品。尽管封装体积小，但其热设计仍能支持200mW的连续功耗和高达300mW的脉冲功耗，具备一定的过载承受能力。此外，器件具有低反向漏电流（最大5μA @ Vr=1V），在关断状态下几乎不消耗额外电流，有利于降低待机功耗，延长电池寿命。所有这些特性共同使PDZVTR7.5B成为高性能、高可靠性应用中的理想选择。
PDZVTR7.5B广泛应用于各类需要精确电压钳位或参考电压生成的电子系统中。在便携式消费电子产品中，它常用于为MCU、传感器或接口电路提供稳定的参考电压，例如在智能手机的电源管理单元中用作反馈分压网络的一部分，以确保输出电压恒定。由于其SOD-323封装紧凑，特别适合高密度PCB布局，常见于蓝牙耳机、智能手表和无线模块等小型化设备。
在工业控制领域，该器件可用于PLC输入调理电路、模拟信号隔离模块或电压监测单元中，实现对异常电压的检测与保护。当输入电压超过7.5V时，齐纳二极管进入击穿状态，将多余能量泄放到地，防止后级敏感元件受损。此外，在通信设备如路由器、交换机或光模块中，PDZVTR7.5B可用于电源轨的过压保护和噪声滤波，提升信号完整性。
汽车电子也是其重要应用场景之一。在车载信息娱乐系统、ECU（电子控制单元）或车身控制模块中，该器件可应对电源瞬态波动（如负载突降或启动冲击），保障系统稳定运行。同时，其符合AEC-Q101可靠性标准的部分批次产品可用于非安全关键类车载应用。此外，PDZVTR7.5B还可用于LED驱动电路中的电压箝位、运算放大器偏置设置以及电平移位电路中，发挥其精准稳压与快速响应的优势。
PZM7.5B, MMBZ5234B, CZR5234B, SZBZT52C7V5
