PDZ5.6BGWJ是一款由STMicroelectronics生产的表面贴装齐纳二极管(稳压二极管),其标称稳压值为5.6V。该器件主要用于电压参考、电压调节和电路保护等应用。PDZ5.6BGWJ采用SOD-323封装,适合用于高密度PCB设计中。该齐纳二极管具有低动态阻抗、快速响应时间以及良好的温度稳定性,适用于各种便携式设备和电源管理系统。
类型: 齐纳二极管
标称稳压值: 5.6V
容差: ±2%
最大耗散功率: 300mW
最大齐纳电流: 100mA
封装类型: SOD-323
工作温度范围: -55°C 至 150°C
存储温度范围: -55°C 至 150°C
最大反向漏电流: 100nA @ Vr=2V
齐纳阻抗: 10Ω(最大)
PDZ5.6BGWJ具有多个关键特性,使其适用于多种电子电路设计。首先,其标称稳压值为5.6V,并具有±2%的高精度容差,能够提供稳定的电压参考,特别适合用于模拟和数字电路中的电压基准点。其次,该器件的最大耗散功率为300mW,能够在有限的封装尺寸下承受一定的功率负载,适用于低功耗和中等功率应用。此外,PDZ5.6BGWJ采用了低动态阻抗设计,确保在负载变化时输出电压的稳定性,同时具备快速响应能力,有助于提高电路的瞬态响应性能。
在封装方面,PDZ5.6BGWJ使用SOD-323封装,体积小、重量轻,非常适合用于高密度印刷电路板(PCB)设计,尤其适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。该器件的工作温度范围宽达-55°C至150°C,能够在极端温度环境下稳定工作,具备良好的环境适应性。此外,其存储温度范围也覆盖-55°C至150°C,确保在运输和存储过程中不会受到温度影响而损坏。
从电气特性来看,PDZ5.6BGWJ的最大反向漏电流仅为100nA(在反向电压2V时),表明其在非工作状态下具有极低的泄漏电流,有助于降低电路的静态功耗,提高整体能效。同时,其最大齐纳阻抗为10Ω,确保在不同工作条件下电压输出的稳定性,减少电压波动对后级电路的影响。
PDZ5.6BGWJ广泛应用于各种电子系统中,尤其是在需要稳定电压参考的场合。例如,在电源管理系统中,该器件可用于为ADC、DAC、比较器等模拟电路提供精确的电压基准,确保测量和控制的准确性。在电池供电设备中,PDZ5.6BGWJ可用于监测电池电压或为低功耗微控制器提供稳定的参考电压,从而优化电源管理策略并延长电池寿命。
此外,PDZ5.6BGWJ还可用于过压保护电路中,作为钳位二极管以限制输入信号的电压幅度,防止敏感电子元件因电压过高而损坏。在接口电路中,该齐纳二极管可用来保护USB、HDMI等通信接口免受静电放电(ESD)和电压尖峰的影响,提高系统的可靠性和稳定性。
在工业控制、消费电子、汽车电子等领域,PDZ5.6BGWJ也常用于信号调理电路、电压检测电路和稳压电路中,为各种嵌入式系统提供可靠的电压参考源。其小尺寸封装使其特别适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、智能手表等,满足现代电子产品对小型化和高性能的需求。
PDZ5.6B, BZX84C5V6, MMSZ5231B, 1N4734A