STH2007TBR 时间：2025/7/22 13:41:56 阅读：8

STH2007TBR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用高性能沟槽式技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等场景。

参数

类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　安装类型：通孔

特性

STH2007TBR 的核心特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力（高达 180A）使其适用于高功率密度设计。此外，该 MOSFET 具备出色的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下可靠运行。由于采用了先进的沟槽式制造工艺，该器件还具有良好的开关性能，适用于高频开关应用。
　　此外，STH2007TBR 的栅极驱动电压范围宽广（±20V），支持标准逻辑电平驱动，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了其在恶劣工作条件下的可靠性。TO-220AB 封装形式提供了良好的散热性能，适合需要高功率输出的应用场景。
　　该器件还具备快速恢复二极管特性，能够有效减少反向恢复损耗，在同步整流和逆变器电路中表现优异。整体设计符合 RoHS 环保标准，适用于各种工业、汽车和消费类电子应用。

应用

STH2007TBR 常用于高性能电源系统中，如 DC-DC 降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其低 Rds(on) 和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计中。此外，它也适用于需要高可靠性的汽车应用，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等。
　　在消费电子领域，该 MOSFET 可用于大功率快充适配器、电源管理模块以及智能家电的电机控制电路中。在工业应用中，它也广泛用于伺服电机驱动器、工业电源模块以及自动化控制系统。