PDZ33BF 是一款由 NXP(恩智浦)公司生产的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于中等功率和高频放大应用,具有良好的稳定性和可靠性。PDZ33BF 常用于射频(RF)电路、音频放大器以及开关电路中。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Ptot):300mW
最大工作温度:150°C
增益(hFE):在 Ic=2mA 时,典型值为 110
过渡频率(fT):250MHz
封装类型:SOT23
PDZ33BF 晶体管具有优异的高频性能,其过渡频率(fT)高达 250MHz,适合用于射频放大器和高频开关电路。
该晶体管的增益(hFE)在典型工作条件下表现稳定,确保了电路的可靠性。
PDZ33BF 采用 SOT23 小型封装,便于在紧凑的电路设计中使用,同时具备良好的散热性能。
其最大集电极电流为 100mA,适用于中等功率的放大和开关应用。
晶体管的集电极-发射极和集电极-基极电压均为 30V,提供了较高的耐压能力,适合多种电子设备使用。
PDZ33BF 主要应用于射频(RF)放大器、音频放大器和高频开关电路中。
该晶体管也广泛用于通信设备、传感器电路、电源管理和信号调节电路中。
由于其高频性能和稳定的增益特性,PDZ33BF 还可用于低噪声放大器(LNA)和前置放大器的设计。
此外,PDZ33BF 适用于工业控制设备、消费类电子产品和汽车电子系统,提供可靠的信号处理和功率控制功能。
BC847B, 2N3904, PN2222