PDZ3.6BGWX 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备良好的稳定性和可靠性,适用于各种电子设备中的稳压和参考电压应用。
类型:齐纳二极管(Zener Diode)
标称齐纳电压:3.6 V
最大齐纳电流:200 mA
功率耗散:300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-323
极性:单向
最大反向漏电流(VR):100 nA(最大)
动态电阻(Zzt):35 Ω(最大)
PDZ3.6BGWX 是一款高性能齐纳二极管,具有出色的电压稳定性和低动态阻抗,能够提供精确的参考电压。其采用紧凑的 SOD-323 表面贴装封装,适合高密度 PCB 设计。该器件的最大齐纳电压容差为 ±2%,确保在各种工作条件下仍能保持稳定的电压输出。
此外,PDZ3.6BGWX 具有较低的反向漏电流,在未击穿状态下对电路的影响极小,从而提高了电路的整体效率。它的动态阻抗较低,有助于减少负载变化对输出电压的影响,提供更平稳的电压调节效果。
该齐纳二极管还具备良好的温度稳定性,能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作,适用于工业级和汽车电子应用。其最大功耗为 300 mW,能够在有限的散热条件下保持稳定运行。
由于其封装尺寸小、功耗低、稳定性高,PDZ3.6BGWX 被广泛用于便携式设备、电源管理系统、电压监测电路、基准电压源以及各种模拟和数字电路中。
PDZ3.6BGWX 主要用于以下应用领域:电压调节与参考源、电源监控电路、过压保护电路、模拟电路基准电压、电池管理系统、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、穿戴设备)、工业控制设备、车载电子系统等。
MM3Z3V6ST1G, BZT55-C3V6, MMSZ5225BT1G