时间：2025/7/24 18:13:09
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MRF6VP21KHR6 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）设计和制造的射频（RF）功率晶体管，采用LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术。这款器件专为高功率、高频应用而设计，常用于无线通信基础设施、广播设备以及工业和医疗射频系统中。MRF6VP21KHR6 封装在一个坚固的表面贴装塑料封装中，具有良好的热管理和可靠性，适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。
类型：LDMOS射频功率晶体管
频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率：典型值为120 W（在2.5 GHz时）
增益：典型值为18 dB（在2.5 GHz时）
漏极效率：典型值为40%（在2.5 GHz时）
工作电压：+28 V
输入驻波比（VSWR）：典型值为2.0:1
封装类型：6引脚表面贴装陶瓷封装（SOT-1224）
存储温度范围：-65°C至+150°C
工作温度范围：-40°C至+150°C
MRF6VP21KHR6 具备多项优异特性，使其成为高功率射频应用的理想选择。首先，该器件工作频率范围覆盖2.3 GHz至2.7 GHz，适用于多种无线通信标准，包括WiMAX、LTE和DVB-T等。其典型输出功率可达120 W，在2.5 GHz时具有较高的线性度和稳定性，适合高功率放大器设计。
其次，该晶体管的典型增益为18 dB，在高频段依然保持良好的放大性能，减少了对前级放大器的要求，从而简化了系统设计。漏极效率高达40%，有助于降低功耗，提高系统整体能效，适用于对功耗敏感的应用场景。
此外，MRF6VP21KHR6 采用+28 V的工作电压，支持高电压操作，增强了器件的稳定性和可靠性。其输入驻波比（VSWR）为2.0:1，表明其在输入端具有良好的匹配性能，减少了信号反射，提高了系统的整体效率。
该器件采用6引脚表面贴装陶瓷封装（SOT-1224），具有良好的热管理能力和机械稳定性，适用于高功率密度环境。封装结构也便于PCB布局和焊接，提升了制造的便利性。
最后，MRF6VP21KHR6 具备宽广的存储和工作温度范围，分别为-65°C至+150°C和-40°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于户外基站、工业设备等对可靠性要求较高的应用场景。
MRF6VP21KHR6 广泛应用于多种射频功率放大系统中，尤其是在无线通信基础设施领域。其典型应用包括蜂窝基站、WiMAX基站、DVB-T发射机、工业和医疗射频设备等。由于其高输出功率、高效率和良好的线性度，该器件特别适合用于多载波放大器、宽带功率放大器和高效能射频发射系统。此外，MRF6VP21KHR6 也适用于测试设备和测量仪器中的射频功率源模块，为研发和生产测试提供可靠的放大解决方案。
MRF6VP2150H、MRF6VP2300H、MRF6VP21KHR6S、MRF6V2150N、AFT042300、AFT042300S
