PDZ3.0B115 时间：2025/9/14 0:20:12 阅读：22

PDZ3.0B115 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的表面贴装型双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管主要设计用于通用放大和开关应用，适用于消费类电子产品、工业控制、电源管理等多种电子电路中。PDZ3.0B115 采用SOT-23（Small Outline Transistor）封装，具有体积小、功耗低和性能稳定等特点。

参数

晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30 V
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据等级划分）
　　封装类型：SOT-23

特性

PDZ3.0B115 晶体管具有多项优良的电气特性，适用于各种中低功率应用。其NPN结构使其在开关和放大电路中表现出色。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，允许在较宽的电源范围内使用。最大集电极电流为100mA，足以满足大多数小功率电子设备的需求。该器件的电流增益（hFE）范围为110至800，具体取决于其等级分类，使其适用于不同的放大和开关应用。此外，PDZ3.0B115 的增益带宽积为100MHz，具备一定的高频响应能力，适合用于射频和高速开关电路。采用SOT-23封装，便于表面贴装，节省空间，适用于高密度PCB布局。其最大功耗为300mW，确保在常规工作条件下不会因过热而损坏。

应用

PDZ3.0B115 主要用于通用晶体管应用，包括音频放大器、电压调节器、数字开关电路、信号放大器以及各种消费类电子设备中的控制电路。在工业自动化中，该晶体管可用于传感器信号放大、继电器驱动以及电源管理模块中的开关控制。由于其高频响应能力，也可用于射频前端电路和低噪声前置放大器中。此外，在嵌入式系统和微控制器外围电路中，PDZ3.0B115 常被用作MOSFET或继电器的驱动级，以实现高效的功率控制。