PDZ13BGWX 是一种表面贴装的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压应用。齐纳二极管是一种具有特定击穿电压的半导体器件,当其处于反向偏置状态并达到其额定的齐纳电压时,能够保持相对稳定的电压。PDZ13BGWX 的齐纳电压约为13V,适用于需要稳定电压的电子电路中。该器件采用SOD-323(SC-76)封装,具有较小的尺寸,适用于空间受限的电路设计。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:13V
功率耗散:200mW
封装类型:SOD-323(SC-76)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
最大反向电流(IR):100nA(@ VRWM)
最大工作电压:13.7V
测试电流(IZT):5mA
PDZ13BGWX 采用先进的硅半导体技术制造,具有良好的电压稳定性和较低的动态阻抗。它的SOD-323封装结构使其适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度电路布局。该器件具有较高的温度稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外,PDZ13BGWX 还具有快速响应时间和较低的漏电流特性,适用于需要高精度电压调节的应用场景。
在电气性能方面,PDZ13BGWX 的齐纳电压在5mA测试电流下为13V,具有±2%的容差(根据具体后缀标识,如B、C等)。该器件的最大功率耗散为200mW,在额定电流范围内能够保持稳定的电压输出。其反向漏电流在额定反向工作电压下不超过100nA,具有较好的低功耗特性。PDZ13BGWX 的工作温度范围为-55°C至+150°C,适合在各种工业和汽车电子环境中使用。
PDZ13BGWX 主要用于需要稳定参考电压的电子电路中,例如电源管理电路、电压调节器、电池管理系统、仪表放大器和电压检测电路。由于其高稳定性和紧凑的封装形式,它广泛应用于便携式电子产品、工业控制设备、汽车电子系统和通信设备中。此外,该器件还可用于过压保护电路、信号调节电路和电压基准源设计中,为各种模拟和数字电路提供可靠的电压参考。
PDZ13B, PDZ13BGW, BZX84-C13