容量：256Kbit（32K x 8）
　　组织方式：8位数据总线（x8）
　　电压：5V
　　访问时间：80ns
　　封装类型：28引脚DIP或SOIC
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行接口
　　封装尺寸：DIP为300mil，SOIC为300mil
　　功耗：典型值为120mA（工作模式）
　　待机电流：最大10mA
　　读写支持：异步读写操作
　　数据保持电压：最低2V（用于数据保持）

GM71C4256A-80 是一款高性能的CMOS SRAM芯片，具有出色的稳定性和高速访问能力。其访问时间为80ns，适用于需要快速数据读写的系统设计。采用CMOS技术，该芯片具有较低的静态功耗，并且在待机模式下电流消耗也控制在较低水平，适合电池供电或低功耗应用场景。该芯片支持异步读写操作，使得其在与多种微处理器和控制器连接时更加灵活。此外，其工作电压为5V，符合大多数传统数字系统的设计标准，同时也具备较高的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。芯片的28引脚DIP或SOIC封装形式便于焊接和替换，提高了其在各类电路板上的适用性。对于需要高可靠性和高速缓存的设备，如网络设备、测试仪器、自动化控制系统等，GM71C4256A-80 是一个理想的选择。

该芯片广泛应用于需要高速存储和稳定性能的设备中，包括但不限于以下领域：
　　? 工业控制设备：如PLC、HMI、数控机床等；
　　? 通信设备：如路由器、交换机、无线基站模块等；
　　? 嵌入式系统：如数据采集设备、智能仪表、自动化控制系统；
　　? 消费电子产品：如高端音视频设备、游戏机外围设备；
　　? 测试与测量仪器：如示波器、频谱分析仪、逻辑分析仪等；
　　? 存储扩展模块：用于单片机系统或计算机外围扩展存储单元。

IS61C256AL-80NLI、CY62148E-45ZSXI、IDT71V424SA80B、AS6C256A-80SAN、MCM62148A-80DCB