PDZ12B_R1_00001 时间：2025/8/14 17:19:02 阅读：4

PDZ12B_R1_00001 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），其齐纳电压为12V。齐纳二极管是一种广泛应用于电压调节、信号参考、过压保护等电路中的电子元件。PDZ12B_R1_00001 采用SOD-123小型封装，适用于便携式设备、电源管理系统、汽车电子、消费类电子产品等对空间和功耗有较高要求的应用场景。该器件具有较高的稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的齐纳电压。

参数

器件类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：12V
　　最大齐纳电流：50mA
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123
　　标称测试电流：5mA
　　动态电阻：最大15Ω（在10mA）
　　漏电流：最大100nA（在VR=10V）

特性

PDZ12B_R1_00001 作为一款高性能的齐纳二极管，具有多项优异特性。其最显著的特点是具有稳定的12V齐纳电压，适用于需要中等电压参考或电压钳位的应用。该器件的最大齐纳电流为50mA，可在5mA的测试电流下保持良好的电压稳定性。其动态电阻较小，最大为15Ω，有助于在负载变化时维持输出电压的稳定性，从而提升电路的可靠性。
　　此外，该齐纳二极管的最大功耗为200mW，适用于低功耗设计。SOD-123封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热性能和机械强度。PDZ12B_R1_00001 的工作温度范围为-55°C至+150°C，可在极端温度环境下正常工作，适合工业级和汽车级应用。
　　该器件的漏电流非常低，最大为100nA（在VR=10V），有助于降低待机功耗和提高能效。ROHM的PDZ系列采用高质量的半导体材料和先进的制造工艺，确保了产品的高一致性和长期稳定性，适用于对可靠性要求较高的系统中。此外，该齐纳二极管具有快速响应时间，能够在瞬态电压事件中迅速提供保护，适用于过压保护电路。

应用

PDZ12B_R1_00001 主要用于电压参考、电源监控、过压保护和信号调节等应用场景。在电压参考电路中，它可以作为精密的12V基准源，用于ADC/DAC电路、比较器、稳压电源等。在电源管理系统中，该齐纳二极管可用于监测或钳位电源电压，防止因电压波动导致系统异常。
　　在过压保护电路中，PDZ12B_R1_00001 可与三极管、MOSFET或可控硅配合使用，构成简单的电压钳位保护电路，防止后级电路因电压过高而损坏。此外，它也常用于信号调理电路中，如将高电压信号衰减至微控制器或运算放大器可接受的范围。
　　由于其SOD-123封装体积小巧、功耗低，该器件广泛应用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）、车载电子系统（如ECU、传感器模块）、工业控制设备（如PLC、数据采集模块）以及消费类电子产品（如LED驱动、充电管理电路）中。