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PDZ11B 11V 发布时间 时间:2025/12/27 22:11:36 查看 阅读:10

PDZ11B是NXP Semiconductors(原Philips)生产的一款精密低功耗齐纳稳压二极管,其标称稳压值为11V。该器件采用SOD23小型表面贴装封装,适用于需要高精度电压参考或低压调节的应用场景。PDZ11B属于PDZ系列,这一系列二极管具有低动态阻抗、良好的温度稳定性和优异的长期稳定性,广泛用于模拟电路、电源管理模块、信号调理电路以及嵌入式系统中的电压钳位和基准源设计。该器件通过在反向击穿区工作来维持稳定的输出电压,即使输入电压或负载电流发生波动,也能提供相对恒定的电压输出。PDZ11B的设计兼顾了性能与尺寸,适合空间受限的便携式电子设备。
  该器件符合AEC-Q101汽车级标准,具备较高的可靠性,可在较宽的温度范围内稳定工作,因此不仅适用于消费类电子产品,也广泛应用于工业控制和汽车电子领域。此外,PDZ11B支持卷带包装,便于自动化贴片生产,提升了制造效率。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:11V
  容差:±5%
  功率耗散:500mW
  封装:SOD23
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  最大齐纳阻抗(Zzt):20Ω @ IZ = 5mA
  测试电流(IZT):5mA
  漏电流(IR):1μA @ VR = 8.8V

特性

PDZ11B齐纳二极管的核心特性在于其高精度与稳定性。其标称稳压值为11V,在额定测试电流5mA下具有±5%的电压容差,确保了在各种工作条件下都能提供可靠的电压基准。该器件的动态阻抗非常低,典型值仅为20Ω,这意味着当负载电流发生变化时,输出电压的波动极小,从而保证了系统的稳定性。低动态阻抗对于需要精确电压参考的应用至关重要,例如ADC/DAC偏置电路、运算放大器参考源或反馈环路中的稳压节点。
  该器件采用先进的平面技术制造,具备优良的温度系数,在整个工作温度范围(-65°C至+150°C)内表现出良好的热稳定性。其温度补偿设计有效减少了因环境温度变化引起的电压漂移,提高了长期工作的可靠性。此外,PDZ11B的漏电流极低,在反向电压低于击穿电压时仅约1μA,这使其非常适合用于低功耗或电池供电系统中,避免不必要的能量损耗。
  SOD23封装使PDZ11B具有紧凑的物理尺寸,适合高密度PCB布局。该封装还提供了良好的散热性能,结合500mW的功率耗散能力,能够在有限空间内安全地处理一定的功耗需求。器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环保和安全性的要求。同时,PDZ11B具备高可靠性的结结构,经过严格的质量控制流程,确保批次一致性,适用于大批量自动化生产场景。

应用

PDZ11B广泛应用于各类需要稳定电压参考的电子系统中。在电源管理电路中,它常被用作辅助稳压元件,为低压差线性稳压器(LDO)的使能引脚或反馈网络提供精确的参考电压。在模拟前端设计中,该器件可用于为运算放大器、比较器或数据转换器(如ADC和DAC)提供偏置电压,确保信号链的准确性和线性度。
  在工业控制系统中,PDZ11B可用于传感器信号调理电路中,作为电压钳位或基准源,防止输入信号超出允许范围,提高系统抗干扰能力。在汽车电子应用中,得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力,PDZ11B被广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和电机驱动电路中的电压保护和参考生成。
  此外,PDZ11B也可用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于内部电源轨的微调或ESD保护电路中的电压箝位。在通信设备中,它可以作为接口电平转换电路的一部分,确保信号完整性。由于其小型化封装和高可靠性,该器件特别适合部署在空间受限且对稳定性要求高的应用场景中。

替代型号

PZM11, BZT52C11, MMBZ5241B

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