型号：PDU620CT-13
　　类型：双N沟道MOSFET
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　连续漏极电流（Id）：@ VGS = 4.5V, 200mA
　　脉冲漏极电流：未指定
　　漏源击穿电压（V(BR)DSS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：@ VGS = 4.5V, 典型值3.5Ω；@ VGS = 2.5V, 典型值4.5Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：@ ID = 1mA, 典型值0.8V，最大值1.2V
　　输入电容（Ciss）：@ VDS = 10V, 典型值27pF
　　反向传输电容（Crss）：@ VDS = 10V, 典型值5pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（PD）：@ TA=25°C, 200mW

PDU620CT-13的电气特性表现出优异的低电压开关能力，特别适合在3V或更低电源系统中作为高效开关元件使用。其低阈值电压（典型值仅0.8V）意味着即使在较低的控制信号电压下也能快速开启，确保了在现代低压逻辑系统中的兼容性和响应速度。这种低VGS(th)特性还降低了误触发的风险，并提高了开关动作的稳定性。
　　该器件的导通电阻表现优秀，在VGS=4.5V时RDS(on)典型值为3.5Ω，而在VGS=2.5V时仍能保持在4.5Ω左右，表明其在实际应用中即使供电电压略有下降，依然能够维持较低的导通损耗。这对于延长电池寿命至关重要，尤其是在长时间运行的便携式设备中。同时，低RDS(on)也有助于减少发热，提升整体系统的热管理表现。
　　PDU620CT-13具有较小的输入电容（Ciss=27pF）和反向传输电容（Crss=5pF），这意味着其开关速度快，驱动功耗低，适合高频开关操作。这对于需要频繁启停的应用（如LED调光、电机控制或数据信号切换）非常有利。此外，低Crss还能有效抑制米勒效应，避免因寄生反馈导致的意外导通现象，从而增强电路工作的可靠性。
　　SOT-363封装不仅体积小巧（仅2.0mm × 1.25mm × 0.95mm），而且引脚排列清晰，便于自动化贴片生产。该封装形式具备良好的散热性能，结合合理的PCB布局设计，可以有效将热量传导至地平面，进一步提升器件的持续工作能力。总体而言，PDU620CT-13凭借其高集成度、低功耗、小尺寸和稳定的电气性能，成为现代微型电子系统中理想的MOSFET解决方案之一。

PDU620CT-13主要应用于各类便携式消费电子产品中，特别是在需要空间优化和低功耗设计的场合。常见的应用场景包括智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模块电源控制、USB接口电源开关以及音频线路的选择与切换。由于其双通道结构，可用于构建双路独立控制的开关电路，实现多路负载的分时供电管理，从而有效降低待机功耗。
　　在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机和健康监测手环中，PDU620CT-13常被用作传感器或无线通信模块的电源门控开关。通过微控制器精确控制每个通道的通断，可以在不使用特定功能时切断电源供应，显著延长电池续航时间。此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径切换，或作为保护电路的一部分，防止反向电流流动。
　　在工业与汽车电子领域，尽管其电压等级有限，但在低电压控制回路中仍有应用价值。例如，在车载信息娱乐系统的辅助电源管理、LED指示灯驱动或多路信号选择器中，PDU620CT-13能够提供可靠的开关功能。同时，其良好的温度适应性使其能在较宽的环境条件下稳定运行。
　　除此之外，PDU620CT-13还可用于各种小型家电、智能家居节点设备以及IoT终端产品中，承担电源分配、负载切换或信号路由的功能。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接连接到GPIO引脚，无需额外的驱动芯片，简化了整体设计复杂度。因此，无论是在消费类还是轻工业类应用中，PDU620CT-13都展现出广泛的适用性和出色的实用性。

DMG2302U-7
　　FDC6322L
　　SI2302CDS