制造商：Infineon Technologies (原Cypress)
　　系列：CY7C21256
　　存储类型：异步SRAM
　　存储容量：2 Mbit
　　存储结构：256K x 8
　　接口类型：并行
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：10/12/15ns（根据版本）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin TSOP II, 48-pin SOJ
　　输入电平：TTL 兼容
　　最大读取电流：约 90mA
　　待机电流：≤ 200μA（典型值）
　　组织架构：262,144 字 × 8 位
　　刷新机制：无（静态RAM）

CK21256R8M具备卓越的性能与稳定性，其核心特性之一是高速数据访问能力，典型访问时间仅为10ns，使得处理器能够在极短时间内完成读写操作，极大提升了系统的响应速度和吞吐量。这种高速特性使其非常适合用于缓存、帧缓冲或实时数据处理等对延迟敏感的应用场景。
　　该芯片采用全静态内核设计，意味着只要电源保持供电，数据将一直保持稳定，无需像DRAM那样进行周期性刷新，从而降低了系统复杂性和功耗开销。静态操作也减少了CPU干预内存管理的需求，提高了系统整体效率。
　　在功耗管理方面，CK21256R8M支持低功耗待机模式。当片选信号CE1或CE2处于非激活状态时，器件自动进入待机状态，此时电流消耗可降至200微安以下，显著延长了电池供电设备的工作时间，适用于便携式仪器和远程监控设备。
　　该SRAM具有高可靠性与抗干扰能力，所有输入输出引脚均具备静电放电（ESD）保护电路，能够承受超过2000V的人体模型（HBM）放电，增强了在复杂电磁环境中运行的稳定性。同时，其输出驱动能力经过优化，支持多负载连接，可在工业现场多节点共享总线环境下稳定工作。
　　CK21256R8M还具备宽工作温度范围（-40°C至+85°C），满足工业级应用需求，能够在极端温度条件下长期稳定运行。其封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造趋势。此外，该器件引脚排列合理，与同类SRAM产品具有良好的互换性和兼容性，便于系统升级和维护。

CK21256R8M广泛应用于多个工业和技术领域。在通信基础设施中，它常被用作路由器、交换机和基站中的数据缓冲区，用于临时存储高速传输的数据包，确保信息处理的连续性和完整性。
　　在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和运动控制设备中，作为程序运行时的临时数据存储单元，支持实时任务调度和高速I/O数据交换。
　　在网络设备如防火墙、网关和IP摄像头中，CK21256R8M可用于图像帧缓存或协议处理缓冲，提升设备的并发处理能力和响应速度。
　　在医疗电子设备中，例如监护仪和便携式诊断设备，其高可靠性和低功耗特性确保关键数据不会丢失，并延长设备续航时间。
　　此外，该芯片也常见于测试测量仪器、POS终端、智能家居主控模块以及航空航天电子系统中，作为主处理器的辅助存储资源。由于其并行接口结构简单、时序清晰，易于与多种微控制器、DSP和FPGA实现无缝对接，因此在原型开发和小批量生产中具有很高的实用价值。

CY7C21256RNVI-10ZS